Rochester Electronics MRF21060R3
RF S 波段，N 沟道功率 MOSFET
制造商型号 :MRF21060R3
达森型号 :6FE235-DS
数据文档 :
MRF21060R3 数据文档
MRF21060R3 数据文档客户# :
描述 : RF S 波段，N 沟道功率 MOSFET SOT-957A Bulk
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 264.546000 | ￥ 264.55 |
| 25+ | ￥ 259.242300 | ￥ 6481.06 |
| 100+ | ￥ 248.634900 | ￥ 24863.49 |
| 500+ | ￥ 238.091400 | ￥ 119045.7 |
| 1000+ | ￥ 224.864100 | ￥ 224864.1 |
库存: 4374
起订量 :1
包装 :SOT-957A Bulk
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 264.546
合计 :￥ 264.55
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- 类型:分立半导体器件/射频场效应晶体管 (FET)、场效应晶体管 (MOSFET)
- 产品状态:积极的
- 额定电压:65 伏
- 安装类型:底盘安装
- 频率:2.1GHz～2.2GHz
- 技术:横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
- 额定电流（安培）:6微安
- 供应商器件封装:NI-780H-2L
- 功率输出:60 瓦
- 获得:12.5分贝
- 电压 - 测试:二十八 五
- 当前 - 测试:500 毫安
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