International Rectifier(IR) IRF6616TRPBF
MOSFET N 沟道 40V 19A DIRECTFET
制造商型号 :IRF6616TRPBF
达森型号 :654224-DS
数据文档 :
IRF6616TRPBF 数据文档
IRF6616TRPBF 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 40V 19A DIRECTFET DirectFET™ Isometric MX Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 62.999500 | ￥ 63 |
| 25+ | ￥ 61.949500 | ￥ 1548.74 |
| 100+ | ￥ 59.324500 | ￥ 5932.45 |
| 500+ | ￥ 56.699500 | ￥ 28349.75 |
| 1000+ | ￥ 53.549500 | ￥ 53549.5 |
库存: 9552
起订量 :1
包装 :DirectFET™ Isometric MX Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
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数量 :
单价 : ￥ 62.9995
合计 :￥ 63.00
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:-40℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:DirectFET™ 等距 MX
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:DIRECTFET™ MX
- 功率耗散（最大）:2.8 瓦（温度特性），89 瓦（温度特性）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):40 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:19A（钽）、106A（铊）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:5毫欧@19A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.25V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.5 V 时 44 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:3765 pF（20 V 时）
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:4.5伏、10伏
- 电压 (最大值):±20V
- 系列:HEXFET®
- 基本产品编号:IRF6616
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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