Onsemi HGTG5N120BND
167W 21A 1200V NPT TO-247 IGBT
制造商型号 :HGTG5N120BND
制造商 :Onsemi
达森型号 :FA1DDE-DS
数据文档 :
HGTG5N120BND 数据文档
HGTG5N120BND 数据文档客户# :
描述 : 167W 21A 1200V NPT TO-247 IGBT TO-247
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 10.671300 | ￥ 10.67 |
| 25+ | ￥ 10.479600 | ￥ 261.99 |
| 100+ | ￥ 10.032300 | ￥ 1003.23 |
| 500+ | ￥ 9.585000 | ￥ 4792.5 |
| 1000+ | ￥ 9.073800 | ￥ 9073.8 |
库存: 45930
起订量 :1
包装 :TO-247
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 10.6713
合计 :￥ 10.67
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- 类型:分立半导体器件/绝缘栅双极晶体管 (IGBT)
- 产品状态:过时的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:通孔
- 封装/箱体:TO-247-3
- 输入类型:标准
- 功率 - 最大:167 瓦
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 反向恢复时间 (trr):65纳秒
- 电流 - 集电极 ( Ic)（最大值）:二十一
- 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）:1200 伏
- I G B T类型:《不扩散核武器条约》
- Vce(on)（最大值）@ Vge， Ic:2.7V @ 15V，5A
- 电流 - 集电极脉冲 ( Icm):40 一
- 转换能源:450µJ（开启），390µJ（关闭）
- 栅极电荷:53 纳克
- Td（开/关）@25° C:22纳秒/160纳秒
- 测试条件:960V，5A，25欧姆，15V
- 基本产品编号:HGTG5N120
- 包装:管子
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