Rochester Electronics HGT1S12N60C3D
24A,600V,N 通道 IGBT
制造商型号 :HGT1S12N60C3D
达森型号 :A050DD-DS
数据文档 :
HGT1S12N60C3D 数据文档
HGT1S12N60C3D 数据文档客户# :
描述 : 24A,600V,N 通道 IGBT TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ¥ 8.179200 | ¥ 8.18 |
| 25+ | ¥ 7.987500 | ¥ 199.69 |
| 100+ | ¥ 7.668000 | ¥ 766.8 |
| 500+ | ¥ 7.348500 | ¥ 3674.25 |
| 1000+ | ¥ 6.965100 | ¥ 6965.1 |
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- 类型:分立半导体器件/绝缘栅双极晶体管 (IGBT)
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-40℃~150℃(高温)
- 安装类型:通孔
- 封装/箱体:TO-262-3 长引线、I²Pak、TO-262AA
- 输入类型:标准
- 功率 - 最大:104 瓦
- 供应商器件封装:I2PAK(TO-262)
- 反向恢复时间 (trr):40纳秒
- 电流 - 集电极 ( Ic)(最大值):二十四 一
- 电压 - 集电极发射极击穿电压(最大值):600 伏
- Vce(on)(最大值)@ Vge, Ic:2.2V @ 15V,15A
- 电流 - 集电极脉冲 ( Icm):96 一
- 栅极电荷:62 纳克
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