Rochester Electronics BLF6G10LS-135R,112
射频场效应晶体管 LDMOS 65V 21DB SOT502B
制造商型号 :BLF6G10LS-135R,112
达森型号 :B6651A-DS
数据文档 :
BLF6G10LS-135R,112 数据文档
BLF6G10LS-135R,112 数据文档客户# :
描述 : 射频场效应晶体管 LDMOS 65V 21DB SOT502B SOT-502B
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 614.462400 | ￥ 614.46 |
| 25+ | ￥ 602.193600 | ￥ 15054.84 |
| 100+ | ￥ 577.592100 | ￥ 57759.21 |
| 500+ | ￥ 552.990600 | ￥ 276495.3 |
| 1000+ | ￥ 522.318600 | ￥ 522318.6 |
库存: 1524
起订量 :1
包装 :SOT-502B
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 614.4624
合计 :￥ 614.46
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- 类型:分立半导体器件/射频场效应晶体管 (FET)、场效应晶体管 (MOSFET)
- 产品状态:过时的
- 额定电压:65 伏
- 封装/箱体:SOT-502B
- 频率:871.5MHz~891.5MHz
- 额定电流（安培）:32A
- 供应商器件封装:SOT502B
- 功率输出:26.5 瓦
- 晶体管类型:横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
- 获得:21分贝
- 电压 - 测试:二十八 五
- 当前 - 测试:950 毫安
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