Renesas Electronics HIP2100IR4
基于半桥的 MOSFET 驱动器
制造商型号 :HIP2100IR4
制造商 :Renesas Electronics
达森型号 :EF1EF4-DS
数据文档 :
HIP2100IR4 数据文档
HIP2100IR4 数据文档客户# :
描述 : 基于半桥的 MOSFET 驱动器 12-VFDFN Exposed Pad
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 55.113100 | ￥ 55.11 |
| 25+ | ￥ 54.063400 | ￥ 1351.59 |
| 100+ | ￥ 51.806400 | ￥ 5180.64 |
| 500+ | ￥ 49.601800 | ￥ 24800.9 |
| 1000+ | ￥ 46.846200 | ￥ 46846.2 |
库存: 5445
起订量 :1
包装 :12-VFDFN Exposed Pad
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 55.1131
合计 :￥ 55.11
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- 类型:集成电路（IC）/功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动器
- 产品状态:过时的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 封装/箱体:12-VFDFN 裸露焊盘
- 输入类型:非反相
- 供应商器件封装:12-DFN（4x4）
- 电压 - 电源:9V ～ 14V
- 通道类型:独立的
- 驱动配置:半桥
- 司机人数:2
- 闸门类型:沟道 MOSFET
- 逻辑电压 - V I L、 V I H:4伏、7伏
- 电流 - 峰值输出（源、汇）:2A，2A
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 伏
- 上升/下降时间（典型值）:10纳秒，10纳秒
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