PANJIT Semiconductor PJQ4401P-AU_R2_000A1
30V P沟道增强模式M
制造商型号 :PJQ4401P-AU_R2_000A1
制造商 :PANJIT Semiconductor
达森型号 :7BC1B7-DS
数据文档 :
PJQ4401P-AU_R2_000A1 数据文档

客户# :
描述 : 30V P沟道增强模式M 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
价格 (¥) : *申请价格,请点击发送目标价按钮
数量 | 单价 | 合计 |
1+ | ¥ 4.600800 | ¥ 4.6 |
10+ | ¥ 4.025700 | ¥ 40.26 |
100+ | ¥ 2.747700 | ¥ 274.77 |
500+ | ¥ 2.294000 | ¥ 1147 |
1000+ | ¥ 1.955300 | ¥ 1955.3 |
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃~150℃(高温)
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:8 电源 VDFN
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 供应商器件封装:DFN3333-8
- 功率耗散(最大):2W(热耗),60W(热耗)
- 场效应晶体管类型:P 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):30 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:10A(Ta),50A(Tc)
- Rds On(最大值)@ Id、 Vgs:10A、10V 时为 8.5 毫欧
- Vgs(th)(最大值)@ Id:2.5V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.5 V 时为 27 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:15 V 时 3228 pF
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):4.5伏、10伏
- 电压 (最大值):±20V
- 系列:汽车、AEC-Q101
- 基本产品编号:PJQ4401
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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