Onsemi NXH35C120L2C2SG
IGBT 模块，CIB 1200 V，35 A IG
制造商型号 :NXH35C120L2C2SG
制造商 :Onsemi
达森型号 :929283-DS
数据文档 :
NXH35C120L2C2SG 数据文档
NXH35C120L2C2SG 数据文档客户# :
描述 : IGBT 模块，CIB 1200 V，35 A IG 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm) Tube
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 526.983300 | ￥ 526.98 |
| 6+ | ￥ 521.743500 | ￥ 3130.46 |
| 12+ | ￥ 511.327800 | ￥ 6135.93 |
| 54+ | ￥ 507.685500 | ￥ 27415.02 |
| 102+ | ￥ 483.914700 | ￥ 49359.3 |
库存: 5292
起订量 :1
包装 :26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm) Tube
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 526.9833
合计 :￥ 526.98
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- 类型:分立半导体器件/IGBT 模块
- 产品状态:过时的
- 工作温度:-40℃～150℃（高温）
- 安装类型:通孔
- 封装/箱体:26-PowerDIP 模块 (1.199", 47.20 毫米)
- 功率 - 最大:20 毫瓦
- 供应商器件封装:26-DIP
- 配置:带刹车三相逆变器
- 输入:三相桥式整流器
- 电流 - 集电极 ( Ic)（最大值）:三十五 一
- 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）:1200 伏
- 电流 - 集电极截止（最大值）:250 微安
- Vce(on)（最大值）@ Vge， Ic:2.4V @ 15V，35A
- 输入电容 ( Cies) @ Vce:20 V 时 8.33 nF
- N T C热敏电阻:是的
- 基本产品编号:NXH35
- 包装:管子
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