Onsemi NTBGS4D1N15MC
MOSFET N 沟道 150V 20A/185A D2PAK
制造商型号 :NTBGS4D1N15MC
制造商 :Onsemi
达森型号 :881825-DS
数据文档 :
NTBGS4D1N15MC 数据文档
NTBGS4D1N15MC 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 150V 20A/185A D2PAK TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 21.232700 | ￥ 212.33 |
| 800+ | ￥ 17.693900 | ￥ 14155.12 |
| 2400+ | ￥ 17.176300 | ￥ 41223.12 |
库存: 12025
起订量 :1
包装 :TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 21.2327
合计 :￥ 21.23
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:TO-263-7，D²Pak（6 根引线 + 接片）
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:D2PAK（TO-263）
- 功率耗散（最大）:3.7 瓦（功耗），316 瓦（温度系数）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):150 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:20A（Ta），185A（Tc）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:104A、10V 时为 4.1 毫欧
- Vgs(th)（最大值）@ Id:4.5V @ 574µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时 88.9 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:7285 pF（75 V 时）
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:8伏、10伏
- 电压 (最大值):±20V
- 基本产品编号:NTGS4型
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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