Onsemi NCD57200DR2G
半桥栅极驱动器（隔离
制造商型号 :NCD57200DR2G
制造商 :Onsemi
达森型号 :DE136F-DS
数据文档 :
NCD57200DR2G 数据文档
NCD57200DR2G 数据文档客户# :
描述 : 半桥栅极驱动器（隔离 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 5.125500 | ￥ 5.13 |
| 25+ | ￥ 5.023300 | ￥ 125.58 |
| 100+ | ￥ 4.818100 | ￥ 481.81 |
| 500+ | ￥ 4.612900 | ￥ 2306.45 |
| 1000+ | ￥ 4.356600 | ￥ 4356.6 |
库存: 7394
起订量 :1
包装 :8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 5.1255
合计 :￥ 5.13
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- 类型:集成电路（IC）/功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动器
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-40℃～125℃（环境温度）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）
- 技术:电容耦合
- 通道数:1
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 电流 - 峰值输出:1.9A、2.3A
- 上升/下降时间（典型值）:13纳秒，13纳秒
- 共模瞬变抗扰度（最小值）:100kV/µs（最大）
- 传播延迟 tp L H / tp H L （最大值）:110纳秒，110纳秒
- 脉冲宽度失真（最大）:25纳秒
- 基本产品编号:NCD57200
- 包装:卷带式 (TR)
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:Dasenic-Reel®
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