NXP Semiconductors PBLS2002S,115
TRANS NPN 预偏置/PNP 1.5W 8SO
制造商型号 :PBLS2002S,115
制造商 :NXP Semiconductors
达森型号 :6FCBC6-DS
数据文档 :
PBLS2002S,115 数据文档
PBLS2002S,115 数据文档客户# :
描述 : TRANS NPN 预偏置/PNP 1.5W 8SO 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 5.684500 | ￥ 5.68 |
| 25+ | ￥ 5.569100 | ￥ 139.23 |
| 100+ | ￥ 5.343400 | ￥ 534.34 |
| 500+ | ￥ 5.117600 | ￥ 2558.8 |
| 1000+ | ￥ 4.834200 | ￥ 4834.2 |
库存: 9699
起订量 :1
包装 :8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 5.6845
合计 :￥ 5.68
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- 类型:分立半导体器件/预偏置双极晶体管阵列
- 产品状态:过时的
- 封装/箱体:8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）
- 功率 - 最大:1.5瓦
- 供应商器件封装:8-硫酸盐
- 晶体管类型:1 NPN 预偏置，1 PNP
- 电流 - 集电极 ( Ic)（最大值）:100 毫安，3 安
- 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）:50伏、20伏
- Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic:150mV@500µA，10mA / 355mV@300mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:1微安，100纳安
- 直流电流增益 (h F E) (最小值) @ Ic, Vce:30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V
- 频率 - 过渡:100兆赫
- 电阻器-基极（ R1）:4.7千欧姆
- 电阻器 - 发射极基极（ R2）:4.7千欧姆
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