NXP Semiconductors MRF6V4300NBR5
射频功率场效应晶体管
制造商型号 :MRF6V4300NBR5
制造商 :NXP Semiconductors
达森型号 :D30CA4-DS
数据文档 :
MRF6V4300NBR5 数据文档
MRF6V4300NBR5 数据文档客户# :
描述 : 射频功率场效应晶体管 TO-272BB Bulk
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 699.832800 | ￥ 699.83 |
| 25+ | ￥ 685.838700 | ￥ 17145.97 |
| 100+ | ￥ 657.786600 | ￥ 65778.66 |
| 500+ | ￥ 629.798400 | ￥ 314899.2 |
| 1000+ | ￥ 594.845100 | ￥ 594845.1 |
库存: 4068
起订量 :1
包装 :TO-272BB Bulk
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 699.8328
合计 :￥ 699.83
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- 类型:分立半导体器件/射频场效应晶体管 (FET)、场效应晶体管 (MOSFET)
- 产品状态:积极的
- 额定电压:110 伏
- 安装类型:底盘安装
- 封装/箱体:TO-272BB
- 频率:10MHz～600MHz
- 技术:横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
- 额定电流（安培）:2.5毫安
- 供应商器件封装:TO-272 WB-4
- 功率输出:300 瓦
- 获得:22分贝
- 电压 - 测试:50 伏
- 当前 - 测试:900 毫安
- 包装:大部分
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