NTE Electronics NTE2987
MOSFET N 沟道 100V 20A TO220
制造商型号 :NTE2987
制造商 :NTE Electronics
达森型号 :96C85E-DS
数据文档 :
NTE2987 数据文档
NTE2987 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 100V 20A TO220 TO-220-3 Bag
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 27.349200 | ￥ 27.35 |
| 10+ | ￥ 24.857100 | ￥ 248.57 |
| 50+ | ￥ 21.662100 | ￥ 1083.11 |
| 250+ | ￥ 18.978300 | ￥ 4744.58 |
| 500+ | ￥ 17.828100 | ￥ 8914.05 |
库存: 1522
起订量 :1
包装 :TO-220-3 Bag
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 27.3492
合计 :￥ 27.35
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:175°C（高温）
- 安装类型:通孔
- 封装/箱体:TO-220-3
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:TO-220
- 功率耗散（最大）:105瓦（热电阻）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 场效应晶体管特性:逻辑电平门，4V 驱动
- 漏源电压 ( Vdss):100 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:20A
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:120 毫欧 @ 10A，5V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.5V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:5 V 时 30 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:1500 pF @ 25 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:5伏
- 电压 (最大值):±15V
- 包装:包
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