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Microchip Technology VN1206L-G
MOSFET N 沟道 120V 230MA TO92-3
制造商型号 :VN1206L-G
制造商 :Microchip Technology
达森型号 :E5D2B9-DS
数据文档 :
VN1206L-G 数据文档
VN1206L-G 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 120V 230MA TO92-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bag
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 0.873000 | ￥ 0.87 |
| 3+ | ￥ 0.783000 | ￥ 2.35 |
| 10+ | ￥ 0.729000 | ￥ 7.29 |
库存: 38400
起订量 :1
包装 :TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bag
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 0.873
合计 :￥ 0.87
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:通孔
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:TO-92-3
- 功率耗散（最大）:1W（温度系数）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):120 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:230 毫安（结温）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:6欧姆@500mA，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2伏@1毫安
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:125 pF @ 25 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:2.5伏、10伏
- 电压 (最大值):±30V
- 基本产品编号:VN1206
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