Microchip Technology MV2N5116
P沟道JFET
制造商型号 :MV2N5116
制造商 :Microchip Technology
达森型号 :197237-DS
数据文档 :
MV2N5116 数据文档
MV2N5116 数据文档客户# :
描述 : P沟道JFET TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 68.850000 | ￥ 68.85 |
| 10+ | ￥ 66.096000 | ￥ 660.96 |
| 100+ | ￥ 61.965000 | ￥ 6196.5 |
| 1000+ | ￥ 61.276500 | ￥ 61276.5 |
| 10000+ | ￥ 60.588000 | ￥ 605880 |
库存: 46429
起订量 :1
包装 :TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 68.85
合计 :￥ 68.85
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- 类型:分立半导体器件/晶体管
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-65℃～200℃（高温）
- 安装类型:通孔
- 封装/箱体:TO-206AA、TO-18-3金属罐
- 功率 - 最大:500 毫瓦
- 供应商器件封装:TO-18 （TO-206AA）
- 场效应晶体管类型:P 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):30 伏
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:27pF @ 15V
- 击穿电压 ( V( B R) G S S):30 伏
- 电流 - 漏极 ( Idss) @ Vds ( Vgs=0):25 毫安 @ 15 伏
- 电压 - 截止 ( V G S 关闭) @ Id:伏 @ 1 纳安
- 电阻—— R D S( On):100 欧姆
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