Microchip Technology APTGTQ200DA65T3G
IGBT 模块 650V 200A 483W SP3F
制造商型号 :APTGTQ200DA65T3G
制造商 :Microchip Technology
达森型号 :AB15D6-DS
数据文档 :
APTGTQ200DA65T3G 数据文档
APTGTQ200DA65T3G 数据文档客户# :
描述 : IGBT 模块 650V 200A 483W SP3F Module
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包装 :Module
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- 类型:分立半导体器件/IGBT 模块
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-40℃～175℃（温度范围）
- 安装类型:底盘安装
- 封装/箱体:模块
- 功率 - 最大:483 瓦
- 供应商器件封装:SP3F
- 配置:升压斩波器
- 输入:标准
- 电流 - 集电极 ( Ic)（最大值）:200 一
- 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）:650 伏
- 电流 - 集电极截止（最大值）:200 微安
- Vce(on)（最大值）@ Vge， Ic:2.2V @ 15V，200A
- 输入电容 ( Cies) @ Vce:12 nF @ 25 V
- N T C热敏电阻:是的
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