Microchip Technology APT6015LVRG
MOSFET N 沟道 600V 38A TO264
制造商型号 :APT6015LVRG
制造商 :Microchip Technology
达森型号 :E163BC-DS
数据文档 :
APT6015LVRG 数据文档
APT6015LVRG 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 600V 38A TO264 TO-264-3, TO-264AA Tube
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 150.804000 | ￥ 150.8 |
| 10+ | ￥ 135.020700 | ￥ 1350.21 |
| 25+ | ￥ 133.039800 | ￥ 3326 |
| 50+ | ￥ 132.400800 | ￥ 6620.04 |
| 100+ | ￥ 114.381000 | ￥ 11438.1 |
库存: 1831
起订量 :1
包装 :TO-264-3, TO-264AA Tube
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 150.804
合计 :￥ 150.80
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 安装类型:通孔
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:TO-264 [大]
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):600 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:38A（铊）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:150毫欧@500毫安，10伏
- Vgs(th)（最大值）@ Id:4伏@2.5毫安
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时 475 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:25 V 时 9000 pF
- 系列:电源 MOS V®
- 基本产品编号:APT6015
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