IXYS Corporation IXFT170N25X3HV
MOSFET N 沟道 250V 170A TO268HV
制造商型号 :IXFT170N25X3HV
制造商 :IXYS Corporation
达森型号 :EC9385-DS
数据文档 :
IXFT170N25X3HV 数据文档
IXFT170N25X3HV 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 250V 170A TO268HV TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 134.253900 | ￥ 134.25 |
| 10+ | ￥ 96.744600 | ￥ 967.45 |
| 100+ | ￥ 78.724800 | ￥ 7872.48 |
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包装 :TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube
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合计 :￥ 134.25
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:1410（3524公制）
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:TO-268HV（IXFT）
- 功率耗散（最大）:960瓦（热电偶）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):250 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:170A（高温合金）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:85A、10V 时为 7.4 毫欧
- Vgs(th)（最大值）@ Id:4.5伏@4毫安
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时为 190 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:13500 pF @ 25 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:10伏
- 电压 (最大值):±20V
- 系列:HiPerFET™，超级 X3
- 基本产品编号:IXFT170
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