IXYS Corporation FII40-06D
IGBT 阵列 NPT 半桥 600 V 40 A 125 W 通孔 ISOPLUS i4-PAC™
制造商型号 :FII40-06D
制造商 :IXYS Corporation
达森型号 :25E018-DS
数据文档 :
FII40-06D 数据文档
FII40-06D 数据文档客户# :
描述 : IGBT 阵列 NPT 半桥 600 V 40 A 125 W 通孔 ISOPLUS i4-PAC™ Bulk
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 166.708000 | ￥ 166.71 |
| 10+ | ￥ 153.360000 | ￥ 1533.6 |
| 25+ | ￥ 130.214000 | ￥ 3255.35 |
| 100+ | ￥ 118.854000 | ￥ 11885.4 |
| 250+ | ￥ 111.896000 | ￥ 27974 |
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包装 :Bulk
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合计 :￥ 166.71
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- 类型:分立半导体器件/IGBT 阵列
- 产品状态:过时的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:通孔
- 封装/箱体:i4-Pac™-5
- 功率 - 最大:125 瓦
- 供应商器件封装:ISOPLUS i4-PAC™
- 配置:半桥
- 输入:标准
- 电流 - 集电极 ( Ic)（最大值）:40 一
- 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）:600 伏
- 电流 - 集电极截止（最大值）:600 微安
- I G B T类型:《不扩散核武器条约》
- Vce(on)（最大值）@ Vge， Ic:2.2V @ 15V，25A
- 输入电容 ( Cies) @ Vce:1.6 nF @ 25 V
- N T C热敏电阻:不
- 基本产品编号:联邦航空管理局
- 包装:大部分
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