InterFET IF1320ST3
JFET N 沟道 -20V 低噪声
制造商型号 :IF1320ST3
制造商 :InterFET
达森型号 :0CDFFD-DS
数据文档 :
IF1320ST3 数据文档
IF1320ST3 数据文档客户# :
描述 : JFET N 沟道 -20V 低噪声 Strip Strip Strip
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 29.585700 | ￥ 29.59 |
| 10+ | ￥ 19.042200 | ￥ 190.42 |
| 100+ | ￥ 18.467100 | ￥ 1846.71 |
| 500+ | ￥ 10.287900 | ￥ 5143.95 |
| 1000+ | ￥ 8.946000 | ￥ 8946 |
库存: 3792
起订量 :1
包装 :Strip Strip Strip
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 29.5857
合计 :￥ 29.59
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- 类型:分立半导体器件/晶体管
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:SOT-23-3
- 功率 - 最大:350 毫瓦
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):20 伏
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:15pF@10V
- 电流 - 漏极 ( Idss) @ Vds ( Vgs=0):10 毫安 @ 10 伏
- 电压 - 截止 ( V G S 关闭) @ Id:1.1 伏 @ 0.5 纳安
- 电阻—— R D S( On):50 欧姆
- 系列:IF1320
- 包装:条
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