Integra Technologies IGT2731M130
GAN，射频功率晶体管，S 波段
制造商型号 :IGT2731M130
制造商 :Integra Technologies
达森型号 :9888D9-DS
数据文档 :
IGT2731M130 数据文档
IGT2731M130 数据文档客户# :
描述 : GAN，射频功率晶体管，S 波段 - Tray
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 5+ | ￥ 8273.715200 | ￥ 41368.58 |
| 10+ | ￥ 8024.888600 | ￥ 80248.89 |
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包装 :- Tray
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- 类型:分立半导体器件/射频场效应晶体管 (FET)、场效应晶体管 (MOSFET)
- 产品状态:积极的
- 额定电压:十六 五
- 安装类型:底盘安装
- 封装/箱体:PL44A1
- 频率:2.7GHz~3.1GHz
- 技术:高电子迁移率晶体管
- 供应商器件封装:PL44A1
- 配置:N 沟道
- 功率输出:130 瓦
- 获得:2.7GHz~3.1GHz 时为 16dB
- 电压 - 测试:50 伏
- 当前 - 测试:25 毫安
- 基本产品编号:IGT2731
- 包装:托盘
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