Infineon Technologies SIGC39T60EX1SA3
IGBT芯片
制造商型号 :SIGC39T60EX1SA3
达森型号 :118AB6-DS
数据文档 :
SIGC39T60EX1SA3 数据文档
SIGC39T60EX1SA3 数据文档客户# :
描述 : IGBT芯片 Die
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 27.383300 | ￥ 27.38 |
| 10+ | ￥ 26.999200 | ￥ 269.99 |
| 30+ | ￥ 26.615100 | ￥ 798.45 |
| 50+ | ￥ 26.231000 | ￥ 1311.55 |
| 100+ | ￥ 25.846800 | ￥ 2584.68 |
库存: 9519
起订量 :1
包装 :Die
发货时间 :48小时内发货
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数量 :
单价 : ￥ 27.3833
合计 :￥ 27.38
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- 类型:分立半导体器件/绝缘栅双极晶体管 (IGBT)
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-40℃～175℃（温度范围）
- 封装/箱体:死
- 输入类型:标准
- 供应商器件封装:死
- 电流 - 集电极 ( Ic)（最大值）:75 一
- 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）:600 伏
- I G B T类型:沟槽式场截止阀
- Vce(on)（最大值）@ Vge， Ic:1.85V（15V 时），75A
- 电流 - 集电极脉冲 ( Icm):225 一
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