Panasonic DME914C10R
TRANS NPN 预偏置/PNP SSMINI6
制造商型号 :DME914C10R
制造商 :Panasonic
达森型号 :1116D8-DS
数据文档 :
DME914C10R 数据文档

客户# :
描述 : TRANS NPN 预偏置/PNP SSMINI6 SOT-563, SOT-666
价格 (¥) : *申请价格,请点击发送目标价按钮
数量 | 单价 | 合计 |
10+ | ¥ 2.229700 | ¥ 22.3 |
8000+ | ¥ 1.238700 | ¥ 9909.6 |
16000+ | ¥ 1.147100 | ¥ 18353.6 |
24000+ | ¥ 1.100100 | ¥ 26402.4 |
40000+ | ¥ 1.061500 | ¥ 42460 |
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- 类型:分立半导体器件/预偏置双极晶体管阵列
- 封装/箱体:SOT-563, SOT-666
- 功率 - 最大:125毫瓦
- 供应商器件封装:SSMin6-F3-B 型号
- 晶体管类型:1 NPN 预偏置,1 PNP
- 电流 - 集电极 ( Ic)(最大值):100毫安,500毫安
- 电压 - 集电极发射极击穿电压(最大值):50伏, 12伏
- Vce 饱和度(最大值)@ Ib, Ic:250mV@500µA,10mA / 250mV@10mA,200mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):500纳安
- 直流电流增益 (h F E) (最小值) @ Ic, Vce:80 @ 5 毫安,10 伏 / 270 @ 10 毫安,2 伏
- 频率 - 过渡:300兆赫
- 电阻器-基极( R1):4.7千欧姆
- 电阻器 - 发射极基极( R2):47千欧姆
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