Goford Semiconductor G29
P15V,读（最大值）<[email protected],读（最大值）<4
制造商型号 :G29
制造商 :Goford Semiconductor
达森型号 :F4463E-DS
数据文档 :
G29 数据文档
G29 数据文档客户# :
描述 : P15V,读（最大值）<[email protected],读（最大值）<4 - Tape & Reel (TR)
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 0.910400 | ￥ 9.1 |
| 3000+ | ￥ 0.505800 | ￥ 1517.4 |
| 6000+ | ￥ 0.456900 | ￥ 2741.4 |
| 9000+ | ￥ 0.432000 | ￥ 3888 |
| 15000+ | ￥ 0.404000 | ￥ 6060 |
库存: 15226
起订量 :1
包装 :- Tape & Reel (TR)
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 0.9104
合计 :￥ 0.91
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:SOT-23
- 功率耗散（最大）:1瓦
- 场效应晶体管类型:P 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):20 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:6A
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:30 毫欧 @ 3A，4.5V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:900 毫伏 @ 250 微安
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时为 12.5 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:10V 时为 1151pF
- 电压 (最大值):±12V
- 包装:卷带式 (TR)
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