GaNPower GPI65010DF56
GaNFET N 沟道 650V 10A DFN 5X6
制造商型号 :GPI65010DF56
制造商 :GaNPower
达森型号 :A15036-DS
数据文档 :
GPI65010DF56 数据文档
GPI65010DF56 数据文档客户# :
描述 : GaNFET N 沟道 650V 10A DFN 5X6 Die Tape & Reel (TR)
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 71.000000 | ￥ 71 |
库存: 1004
起订量 :1
包装 :Die Tape & Reel (TR)
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 71
合计 :￥ 71.00
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:2430
- 技术:GaNFET（氮化镓）
- 供应商器件封装:死
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):650 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:10A
- Vgs(th)（最大值）@ Id:[email protected]
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:6 V 时为 2.6 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:400V 时 90pF
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:6伏
- 电压 (最大值):+7.5 伏、 -12 伏
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