Diodes Incorporated DMMT5551-7-F
160V 300mW 80@10mA，5V 200mA 2PCSNPNPairing SOT-26 双极晶体管 - BJT
制造商型号 :DMMT5551-7-F
制造商 :Diodes Incorporated
达森型号 :A65DD7-DS
数据文档 :
DMMT5551-7-F 数据文档
DMMT5551-7-F 数据文档客户# :
描述 : 160V 300mW 80@10mA，5V 200mA 2PCSNPNPairing SOT-26 双极晶体管 - BJT SOT-26
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 0.842100 | ￥ 8.42 |
| 3000+ | ￥ 0.467900 | ￥ 1403.7 |
| 6000+ | ￥ 0.451600 | ￥ 2709.6 |
| 12000+ | ￥ 0.438100 | ￥ 5257.2 |
| 18000+ | ￥ 0.425300 | ￥ 7655.4 |
库存: 18621
起订量 :1
包装 :SOT-26
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
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- 类型:分立半导体器件/预偏置双极晶体管阵列
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 封装/箱体:SOT-23-6
- 功率 - 最大:300毫瓦
- 供应商器件封装:SOT-26
- 晶体管类型:NPN（双）匹配对
- 电流 - 集电极 ( Ic)（最大值）:200毫安
- 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）:160伏
- Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic:200mV@5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（电流导通电阻）
- 直流电流增益 (h F E) (最小值) @ Ic, Vce:80 @ 10 毫安，5 伏
- 频率 - 过渡:300兆赫
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