Tagore Technology 成立于 2011 年 1 月，致力于开发用于射频 (RF) 和电源管理应用的硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 半导体技术。我们先进的专有技术和设备以极具竞争力的价格显著降低了系统解决方案的复杂性、尺寸、重量和功耗 - 与硅解决方案相比，其功率转换品质因数显著提高。我们是一家无晶圆厂半导体公司，在美国伊利诺伊州阿灵顿高地和印度加尔各答设有设计中心。我们的研发团队致力于利用宽带隙技术开发颠覆性解决方案，帮助客户解决射频和电源设计挑战，并加快从 5G 蜂窝基础设施到消费者、汽车、国防和安全等广泛应用的上市时间。我们与领先的半导体代工厂和装配厂合作，提供具有一流质量和高可靠性的产品。