Infineon Technologies-集成电路（IC）,专用 IC 产品 (25)
在达森电子购买 25 高品质 Infineon Technologies 下的 集成电路（IC）、专用 IC。非常适合工程师和业余爱好者。价格最优，质量无与伦比。
| 型号 | 制造商 | 单价 | 库存 | 描述 | 数据文档 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Infineon Technologies | ￥ 10.9013 | 17795 | PQFN-44-EP(7x7) 音频功率运算放大器 |  | ||
| Infineon Technologies | ￥ 6.3638 | 31542 | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 5.0417 | 13362 | 沟道 60 V 79 A (Tc) 110 W (Tc) 通孔 TO-220AB | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 7.3485 | 14210 | MOSFET N 沟道 75V 120A TO220AB | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 3.1253 | 20461 | MOSFET N 沟道 75V 80A TO220AB | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 25.6399 | 20270 | 功率场效应晶体管，1 | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 23.5791 | 5598 | TO-247-3 IGBT | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 15.1443 | 1606 | 600V，N 沟道功率 MOSFET | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 0.0000 | 1186 | 功率场效应晶体管 | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 74.4080 | 1424 | 600V，0.06OHM，N 沟道 MOSFET， | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 40.0440 | 785 | 600V，0.12OHM，N 沟道 MOSFET， | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 20.0646 | 1710 | 功率场效应晶体管，2 | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 0.5058 | 21000 | 800V，1.4欧姆，N沟道MOSFET， | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 52.3980 | 1702 | IPW60R099——600V-800V N 通道 | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 1.5219 | 13200 | IPP60R180 - 600V COOLMOS N 通道 | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 15.4816 | 3972 | 功率场效应晶体管 | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 2054.5980 | 1503 | 绝缘栅双极晶体管 | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 45.1517 | 22376 | 功率场效应晶体管，6 | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 27.2853 | 1968 | 功率场效应晶体管 | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 19.8729 | 1590 | 23.8A，600V，0.16欧姆，N沟道 | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 27.9243 | 1686 | 功率场效应晶体管，6 | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 35.3514 | 1710 | 600V，0.099OHM，N 沟道 MOSFET | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 33.2919 | 1806 | IKW15N120 - 带 A 的分立 IGBT | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 71.5041 | 4320 | 46A，650V，0.045欧姆，N沟道M | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 178.8490 | 1667 | TO-247-3-46 IGBT | |
