积极的

过时的

不适用于新设计

±5％

±2％

±7％

-55℃～125℃

-20℃～70℃

-55℃～150℃

-40℃～85℃

-40℃～105℃

-40℃～125℃

-65℃～200℃

-65℃～150℃（高温）

-55℃～150℃（高温）

-40℃～125℃（温度范围）

-55℃～175℃（高温）

150°C（高温）

-40℃～150℃（高温）

-40℃～150℃

125°C（高温）

-40°C ～ 100°C（环境温度）

消除爆音，差分输入

温度补偿

可选滞后

数码相机

通孔

底盘安装

表面贴装

模块

SC-74A, SOT-753

SOD-882

TO-236-3、SC-59、SOT-23-3

SC-74、SOT-457

SC-70、SOT-323

超氧化物歧化酶-123

8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）

TO-220-3

TO-263-3，D²Pak（2 根引线 + 接片），TO-263AB

48-VFQFN 裸露焊盘

TO-247-3

4-SMD，无引线

4-UFBGA，CSPBGA

TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型引线

196-BGA

1517-BBGA，FCBGA

1152-BBGA，FCBGA

1513-BBGA，FCBGA

8-电源TDFN

TO-261-4, TO-261AA

44-电源VFQFN

TO-220-3 全封装

DO-204AH, DO-35, 轴向

44-LSSOP（0.220 英寸，5.60 毫米宽）裸露焊盘

TO-99-8金属罐

4-PowerTSFN

8-PowerTDFN，5 根导线

0.079 英寸长 x 0.049 英寸宽（2.00 毫米 x 1.25 毫米）

0.276 英寸长 x 0.197 英寸宽（7.00 毫米 x 5.00 毫米）

0.098 英寸长 x 0.079 英寸宽（2.50 毫米 x 2.00 毫米）

0.061 英寸长 x 0.033 英寸宽（1.54 毫米 x 0.84 毫米）

0.043 英寸（1.10 毫米）

0.039 英寸（1.00 毫米）

0.024 英寸（0.60 毫米）

0.031 英寸（0.80 毫米）

25兆赫

32.768 千赫

20兆赫

156.25 兆赫

125兆赫

1.84兆赫

直流～18kHz

标准

内部开关

霍尔效应

肖特基

MOSFET（金属氧化物）

10毫安

11毫安

2.2毫安

30微安

传感器

XO（标准）

D类

前置放大器

影像信号处理器

机械样品

加速处理器

金属氧化物压敏电阻

推拉

开路集电极

通道（立体声）

轨对轨

漏极开路

250 毫瓦

500 毫瓦

400 毫瓦

1.1 瓦

225 毫瓦

330 毫瓦

265 毫瓦

2.4瓦

2250 瓦

1150 瓦

闩锁

启用/禁用

单极开关

1

PG-SC59-3-4

模块

SOT-23-5

SOD-523

DFN1006-2

SOT-23-3（TO-236）

TO-236AB

PG-SOT23

SOT-323

超氧化物歧化酶-123

8-SOIC

SOT-663

SOT-23 (TO-236AB)

48-VQFN（7x7）

TO-92-3

1517-FCBGA (40x40)

1152-FCBGA (35x35)

1513-FCBGA (40x40)

44-PQFN（7x7）

10-uMAX

SOT-223

TO-220AB

TO-99-8

PG-TO247-3-41

PG-TO247-3

PG-TO220-3-1

急性淋巴细胞白血病2型

5-DFN（5x6）（8-SOFL）

PG-TO263-3

PG-SC59-3

PG-TO262-3-1

PG-TO220 全套

PG-TO220-3-111

44-SSOPJ-EP

PG-VSON-4-1

PG-TO220-3-5

196-HSBGA（15x15）

AG-经济-3-2

对共阳极

半桥逆变器

2 个 N 通道（双）

全桥逆变器

1

100毫安

11.5伏

单向

南极

±50ppm

±25ppm

微机电系统

互补金属氧化物半导体

低压CMOS

低电压CMOS、低电压TTL

串行外设接口

高电平有效

5伏

3.3伏

3.1V~3.5V

2.7V～18V

10V ～ 15V

2.7V ~ 5.5V

20毫安

6毫安

4.5毫安

1.25毫安

7.5毫安

36毫安

标准

快速恢复 =< 500ns, > 200mA (Io)

标准恢复 >500ns, > 200mA (Io)

一般用途

互补金属氧化物半导体

可变增益

130W x 2 @ 4 欧姆

150兆赫

80毫安

45 毫安

33 毫安

15000伏/微秒

20伏/微秒

30伏/微秒

霍尔效应，差分

3.5mT 跳闸，-3.5mT 释放

13.9mT 跳闸，5mT 释放

标准单人间

35伏

250毫安

8A

215毫安

1.25 伏 @ 150 毫安

1.1 伏 @ 100 毫安

1.25 伏 @ 200 毫安

620 毫伏（8 安）

900 毫伏 @ 10 毫安

60V 时为 45µA

1V 时 5µA

80 V 时 500 nA

5纳安@75伏

150 V 时 100 nA

100nA@8V

2V 时为 3μA

1V 时为 3μA

1.5 V 时为 2 µA

2pF @ 0V，1MHz

1pF @ 0V，1MHz

1pF @ 20V，1MHz

5pF @ 0V，1MHz

700 毫欧 @ 5 毫安，200 兆赫

400毫瓦（功耗）

34W（热电阻）

110瓦（热阻）

68W（热电阻）

72W（热电偶）

63W（热电偶）

140瓦（热电阻）

375瓦（热电阻）

230瓦（热电阻）

255瓦（热电阻）

24 瓦（热阻）

151W（热电偶）

32W（热电阻）

8W（温度系数）

260 毫瓦（温度特性），830 毫瓦（温度特性）

490毫瓦（功耗）

100兆赫

15兆赫

7兆赫

600纳安

0.1 帕

5 帕

2毫伏

300 微伏

伏

七 伏

2.7 伏

12 伏

十六 五

5.5 伏

150 伏

100 伏

75 伏

60 伏

4纳秒

50纳秒

3微秒

-55℃～175℃

150°C（最高）

175°C（最高）

过温

12 伏

3.3 伏

4.3 伏

4.7 伏

5.1 伏

50 欧姆

60 欧姆

25 欧姆

95 欧姆

90 欧姆

NPN

即插即用

四

200毫安

675 一

325 一

15 伏

40 伏

1200 伏

400mV@5mA，50mA

250 毫伏@1 毫安，10 毫安

600 毫安、6 安时为 450 毫伏

毫安

3 毫安

100纳安

50nA（电流导通电阻）

400纳安（电流导通电阻）

100 @ 10 毫安，1 伏

40 @ 10 毫安，1 伏

250 @ 2A，2V

150兆赫

250兆赫

500兆赫

N 沟道

P 沟道

50伏

30 伏

100 伏

50 伏

200 伏

75 伏

60 伏

600 伏

700 伏

650 伏

3A

200 毫安（Ta）

6A（铊）

3.7A（电流值）

120安培（热电阻）

80安培（热电阻）

7A（铊）

31A（锝）

150 毫安（Ta）

13A（铊）

20.2A（温度系数）

7.3A（温度系数）

79A（铊）

72A（铊）

7.4A（温度系数）

13.8A（温度系数）

7.5欧姆@100mA，10V

5欧姆@500mA，10V

130 毫欧 @ 3A，10V

280 毫欧 @ 3.6A，10V

190 毫欧 @ 5.7A，10V

190 毫欧 @ 7.3A，10V

47A、10V 时为 8.4 毫欧

9毫欧@46A，10V

22 毫欧 @ 44A，10V

190 毫欧 @ 9.5A，10V

600 毫欧 @ 2.4A，10V

1.5A、10V 时为 950 毫欧

3.7A、4.5V 时为 44 毫欧

5.8毫欧姆@75A，10V

280 毫欧 @ 4.4A，10V

18A、10V 时为 105 毫欧

72毫欧@8A，10V

3.5V@150mA

3V @ 250µA

2.1V @ 250µA

2伏@1毫安

900 毫伏 @ 250 微安

3伏@1毫安

5V @ 250µA

4V @ 150µA

4.5V @ 180µA

4V @ 290µA

4V @ 100µA

3.5V @ 1.2mA

4.5V @ 200µA

3.5V @ 700µA

3.5V @ 440µA

3.5V @ 630µA

10V 时为 15nC

10 V 时 84 纳克

10 V 时为 110 纳克

10 V 时为 12 纳克

10 V 时 63 纳克

10 V 时 45 纳克

10 V 时为 18 纳克

10 V 时为 23 纳克

4.5 V 时为 12 纳克

10 V 时 73 纳克

10 V 时 80 纳克

5 V 时为 0.35 纳克

10 V 时 69 纳克

10 V 时 150 纳克

10 V 时为 15.3 纳克

255pF @ 25V

100V 时 950pF

400 V 时 807 pF

50 pF @ 25 V

1150 pF @ 400 V

100V 时为 1620pF

36pF（25V 时）

2290 pF（50 V 时）

3070 pF @ 50 V

15 V 时 635 pF

100V 时 2800pF

1690 pF @ 25 V

100V 时为 1400pF

100V 时为 328pF

4750 pF @ 50 V

100V 时 557pF

5380 pF @ 50 V

±0.05%

±4℃

10伏

4.5伏、10伏

1.8V、4.5V

±12V

±10V

±20V

20毫安

沟槽式场截止阀

2.15V @ 15V，225A

2.1V @ 15V，450A

28 nF @ 25 V

16 nF @ 25 V

是的

-40℃～85℃

25 摄氏度

±2％

交流/直流

50A

35 摄氏度

热的

是的

SiT8209

MAX7375

经济型包装™ +

SiT1570

SiT5901

*

汽车、AEC-Q101

汽车、AEC-Q100

74LVC

汽车、AEC-Q100、74LVC

HEXFET®

酷MOS™

汽车、AEC-Q101、HEXFET®

SiT8009

SiT8918

LMH®

BZX84CxxxLT1G

汽车、AEC-Q101、BAS16

EconoDUAL™3

CoolMOS E6™

AUIRF7103

NRVTS860

SiT8209

PESD12

SiT1570

SiT5901

IR4302

AD8232

BAS16

BC817

BC857

74LVC2G241

74LVC595

74LVC163

PESD24

PMBT3906

BZT52

AUIRFS4127

74LVC2G125

MW7IC

BSS84

聚乙烯亚胺3

静电放电2

74AHCT1G79

74LVC1G11

74LVC1G3157

74LVC2G02

74LVC1G27

74LVC2G38

MMBT3906

可编程门阵列

PMBT2907

SiT8918

74AHCT594

IRF1018

IRFB3307

2N7000

74LVC245

IRFB3607

PMBT2369

PDTA124

PMV50

管子

条

大部分

卷带式 (TR)

胶带和盒子 (TB)

切割胶带 (CT)

Dasenic-Reel®