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总共 64541 项

制造商

  • Xilinx®

  • Ampleon

  • Maxim Integrated

  • Bulgin

  • Enfis Ltd.

  • Etron Technology

  • Flexxon

  • Flip Electronics

  • Fremont Micro Devices Corp.

  • Renesas Electronics

  • Insignis Technology Corporation

  • Intel Corporation

  • Intelligent Memory

  • Kaga FEI America, Inc.

  • LEDiL

  • Micron Technology

  • Nearson Inc.

  • Netlist Inc.

  • Nexperia

  • Panasonic

  • SanDisk

  • Sensata Airpax™

  • SOCLE Technology & Sharp

  • Viking Technology

  • Winbond Electronics

  • Harris Semiconductor

  • IBM Microelectronics

  • Texas Instruments

  • Vishay Intertechnology

  • Dialog Semiconductor

  • Prolabs Ltd.

  • ISSI®

  • MoSys™

  • Elite Semiconductor Microelectronics Technology

  • SkyHigh Memory

  • ABLIC Inc.

  • AMD(Advanced Micro Devices)

  • Analog Devices, Inc.

  • Cypress Semiconductor

  • Eon Silicon Solution, Inc.

  • Fujitsu Semiconductor

  • Infineon Technologies

  • Intersil Corporation

  • Kingston Technology

  • Lantiq

  • Macronix

  • Microchip Technology

  • Motorola, Inc.

  • Nuvoton Technology

  • NXP Semiconductors

  • Onsemi

  • Qimonda AG

  • Rochester Electronics

  • ROHM Semiconductor

  • Samsung Electronics

  • Semtech Corporation

  • SK hynix

  • Spansion®

  • SST Sensing Ltd.

  • STMicroelectronics

  • Toshiba

  • Adafruit Industries

  • Adesto Technologies

  • Alliance Memory

  • Asahi Kasei Microdevices

  • ATP Electronics

  • Dallas Semiconductor

  • Delkin Devices

  • Everspin Technologies, Inc.

  • Fairchild Semiconductor

  • Freescale Semiconductor

  • GigaDevice Semiconductor

  • GSI Technology

  • Honeywell Aerospace

  • Johanson Technology

  • Kioxia America, Inc.

  • Parallax

  • Quality Semiconductor

  • Silicon Motion

  • SparkFun Electronics

  • Swissbit®

产品状态

  • 积极的

  • 过时的

  • 不适用于新设计

材料

  • 聚酯纤维

颜色

  • 黑色和蓝色图例，白色背景

工作温度

  • -20°C ~ 110°C（太焦）

  • -25°C 至 85°C

  • -55℃～125℃

  • -30℃～85℃

  • -40℃～85℃

  • -40℃～105℃

  • -25℃～85℃

  • -40℃～95℃

  • -40℃～125℃

  • 0℃～70℃

  • -40℃～150℃（环境温度）

  • -55℃～85℃（环境温度）

  • -40℃～125℃（环境温度）

  • -40℃～85℃（环境温度）

  • -30℃～85℃（环境温度）

  • -40℃～85℃（高温）

  • -55℃～125℃（环境温度）

  • 0℃～70℃（环境温度）

  • -40℃～105℃（TA）

  • -40°C ~ 80°C (TA)

  • -25°C ~ 85°C (TA)

  • -40℃～90℃（环境温度）

  • 0℃～95℃

  • -55℃～125℃（温控）

  • -20℃～85℃（环境温度）

  • 0℃～85℃（环境温度）

  • -10℃～70℃（环境温度）

  • -40℃～100℃（温度范围）

  • 0℃～75℃（环境温度）

  • 0℃～90℃（温控）

  • -40℃～105℃（温控）

  • -40℃～85℃（温控）

  • 0℃～95℃（温控）

  • 0℃～85℃（温控）

  • 0℃～110℃（高温）

  • -40℃～95℃（环境温度）

  • -40℃～95℃（温控）

  • -20℃～70℃（环境温度）

  • 0℃～70℃（温控）

  • -40℃～125℃（温控）

  • -40℃～115℃（温控）

  • -20℃～75℃（环境温度）

  • -40℃～115℃（环境温度）

  • -55℃～225℃（环境温度）

  • 0℃～95℃（环境温度）

  • 0℃～125℃（温度范围）

  • -25℃～85℃（高温）

  • -30℃～85℃（高温）

  • -30℃～85℃（温控）

  • -25℃～85℃（温控）

  • -20℃～125℃（环境温度）

  • 20℃～110℃（高温）

  • -40℃～145℃（环境温度）

  • -30℃～105℃（温控）

  • -55℃～210℃（高温）

安装类型

  • 贴片/贴片

  • 插座

  • 通孔

  • 表面贴装，可润湿侧翼

  • 表面贴装

封装/箱体

  • 球栅阵列

  • PLCC-52

  • 900 欧姆

  • 5伏、9伏

  • 5 伏、9 伏、12 伏、15 伏、20 伏

  • 2430

  • 18350

  • 1100伏（1.1千伏）

  • 16-DIP

  • 8-WSSOP、8-MSOP（0.110英寸，2.80毫米宽）

  • B1S

  • 8 GHz

  • 0.052 英寸（1.32 毫米）

  • 2-SMD，无引线

  • SC-74A, SOT-753

  • SOT-23-5 薄型, TSOT-23-5

  • 16-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）

  • 6-WDFN 裸露焊盘

  • 8-VDFN 裸露焊盘

  • 16-WFQFN 裸露焊盘

  • 8-TSSOP、8-MSOP（0.118 英寸，3.00 毫米宽）

  • 12-UFBGA，WLCSP

  • 死

  • 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353

  • 9-UFBGA，WLCSP

  • SOT-23-6

  • 2-XDFN

  • TO-236-3、SC-59、SOT-23-3

  • 8-UFDFN 裸露焊盘

  • 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）

  • 5-UFDFN

  • 8-XFDFN

  • 8-XFDFN 裸露焊盘

  • 4-UFBGA，WLCSP

  • 14-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）

  • 12-WQFN 裸露焊盘

  • 5-UFBGA，WLCSP

  • 4-XFBGA，晶圆级芯片尺寸

  • 8-UDFN 裸露焊盘

  • 6-SMD，J 引线

  • 2-WDFN

  • 15-XFBGA，晶圆级芯片尺寸

  • 8-UFBGA、WLCSP

  • 8-WDFN 裸露焊盘

  • 16-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）

  • 16-CDIP

  • 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米）

  • 16-CFlatPack

  • 20-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）

  • 8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）

  • 14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）

  • 5-UFBGA，CSPBGA

  • 20-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）

  • 8-VFDFN 裸露焊盘

  • 16-SOIC（0.295 英寸，7.50 毫米宽）

  • 11-UFBGA，WLCSP

  • 4-XFBGA

  • 8-UDFN

  • 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）

  • 18-DIP（0.300英寸，7.62毫米）

  • 8-SOIC（0.209 英寸，5.30 毫米宽）

  • 14-TSSOP（0.173 英寸，4.40 毫米宽）

  • TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)

  • 24-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）

  • 48-BSSOP（0.295英寸，7.50毫米宽）

  • 32-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）

  • 防尘、防水

  • 4-UFBGA，CSPBGA

  • 100-TQFP

  • 20-DIP（0.300英寸，7.62毫米）

  • 28-LCC (J 型引线)

  • 32-LCC (J 型引线)

  • 100-LQFP

  • 52-LQFP

  • 28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）

  • 16-SOIC（0.209 英寸，5.30 毫米宽）

  • 144-LFBGA

  • 32-VFQFN 裸露焊盘

  • 44-LQFP

  • 100-LBGA

  • 96-LFBGA

  • 36-WFQFN 裸露焊盘

  • 144-TFBGA

  • 80-LBGA

  • 16-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）

  • 56-VFBGA

  • 20-LCC (J 型引线)

  • 52-VFBGA

  • 64-LQFP

  • 28-TSSOP（0.173 英寸，4.40 毫米宽）裸露焊盘

  • 100-TBGA

  • 8-LSSOP、8-MSOP（0.110 英寸，2.80 毫米宽）

  • 22-DIP

  • 20-DIP

  • 8-UFBGA

  • 44-CLCC

  • 28-DIP (0.600", 15.24毫米)

  • 8-VSSOP、8-MSOP（0.110 英寸，2.80 毫米宽）

  • 44-LCC (J 型引线)

  • 44-PLCC

频率

  • 13.56兆赫

技术

  • 线性动态随机存取存储器

  • 闪光

  • 内存

  • 同步动态随机存取记忆体

  • 动态随机存取记忆体

  • 电可擦除只读存储器

  • 静态存储器

  • 闪存 - NOR

  • 闪存-NAND

  • SRAM-异步

  • SDRAM-DDR2

  • PSRAM（伪SRAM）

  • SDRAM-DDR3L

  • FRAM（铁电RAM）

  • SDRAM-DDR

  • SDRAM-DDR3

  • 闪存 - NAND（SLC）

  • SDRAM - 移动 LPDDR

  • MRAM（磁阻 RAM）

  • SRAM - 双端口，异步

  • 闪存 - NAND（MLC）

  • NVSRAM（非易失性SRAM）

  • SRAM - 同步，SDR

  • SRAM - 双端口，同步

  • SDRAM——移动 SDRAM

  • SDRAM - 移动 LPDDR2-S4

  • EPROM-UV

  • SRAM - 同步

  • EPROM-OTP

  • SRAM - 标准

  • 舞会

  • SRAM - 同步，SDR (ZBT)

  • SDRAM-DDR4

  • SDRAM - 移动 LPDDR4

  • SDRAM - 移动 LPDDR3

  • SDRAM - 移动 LPDDR2

  • SRAM - 同步，ZBT

  • 闪存 - NAND (pSLC)

  • 闪存 - NAND（TLC）

  • SRAM - 同步，QDR II+

  • SDRAM - 移动

  • SDRAM - 移动 LPSDR

  • FLASH——引导块

  • SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B

  • SRAM - 同步，DDR II

  • 静态随机存取记忆体-DDR2

  • SRAM - 四端口，同步

  • SRAM - 同步，QDR II

  • SDRAM - 移动 LPDDR4X

  • SRAM - 异步、ZBT

  • SRAM - 同步，DDR II+

  • SRAM - 双端口，标准

  • SRAM - 双端口，异步，标准

  • SRAM - 四端口，同步，QDR II+

  • ReRAM（电阻式 RAM）

  • 闪存、RAM

  • 闪存 - NAND，DRAM - LPDDR2

  • SGRAM - GDDR5

  • SRAM - 同步，标准

  • SRAM——双端口

  • 1T-静态随机存取存储器

  • 静态随机存取记忆体

  • 电可擦除只读存储器，静态随机存取存储器

  • SRAM - 四端口，同步，QDR II

  • SRAM - 四端口，同步，QDR IIIe

  • SRAM - 四端口，同步，DDR II+

  • 静态随机存取记忆体

  • SRAM - 四端口，同步，QDR IVe

  • SRAM - 双端口，MoBL

  • SRAM - 四端口，同步，DDR II

  • SRAM - 四端口，异步

  • LLDRAM2

  • FLASH - NAND，移动 LPDRAM

  • DRAM-RPC

  • 闪存、静态存储器

  • 闪存 - NAND, 闪存 - NOR

  • 闪存 - NAND (SLC), 闪存 - NAND (TLC)

  • RLDRAM 3

  • 闪存 - NAND (pMLC)

  • 闪存、DRAM

  • 超级RAM

  • DRAM-EDO

  • 闪存 - NOR (MLC)

  • 内存-FP

  • 闪存 - NOR、PSRAM

  • SGRAM-GDDR6

  • SRAM - 同步，DDR IIP

  • SRAM - 同步，QUADP

  • SRAM - 同步，四路

  • SDRAM - 移动 LPDDR5

  • SRAM - 同步，QDR IV

  • 闪存，PSRAM

  • SRAM - 同步，QDR

  • SRAM - 同步、DDR

  • 萨拉姆

  • SRAM - 双端口，同步 QDR II

  • 相控存储器（PRAM）

  • PCM——LPDDR2，MCP——LPDDR2

  • 闪存 - NOR，移动 LPDDR SDRAM

  • 中央存储器

类型

  • RFID 阅读器

容量

  • 64GB

界面

  • 串行外设接口

宽度

  • x8

供应商器件封装

  • 32-WLCSP（3.98x3.19）

  • 119-BGA（17x7）

  • 254-FBGA（11.5x13x1.0）

  • 136-FBGA (10x10)

  • 144-FBGA（8x9.5）

  • 1512-FCBGA（27x27）

  • 2512-FCBGA（27x27）

  • 576-FCBGA（27x27）

  • 48-TFBGA（8x9.5）

  • 96-FBGA（9x13.5）

  • 5-WLCSP（0.96x1.07）

  • 54-VFBGA（10x11.5）

  • 48-uBGA（7.7x9）

  • 46-VFBGA（7.29x6.96）

  • 82-VFBGA（9x11）

  • 149-VFBGA（8x9.5）

  • 102-VFBGA（9x14）

  • 441-TFBGA（14x14）

  • 144-FBGA（11x18.5）

  • 254-MCP

  • 48-VFBGA（7.7x9）

  • 40-TSOP 反向

  • 33-WLCSP（3.36x3.97）

  • 165-LBGA（13x15）

  • 8-DIP

  • 16-DIP

  • SOT-23-5

  • 5-TSOP

  • 16-硫

  • 8-uMAX/uSOP

  • 死

  • SC-70-5

  • SOT-23-6

  • 0402/SOD-923F

  • SOT-23-3

  • 8-SOIC

  • 8-MSOP

  • 8-硫酸盐

  • 6-TDFN（3x3）

  • 14-SOIC

  • 12-TQFN（4x4）

  • 8-标准操作程序

  • 8-uDFN (2x2)

  • 16-SOIC

  • 6-TSOC

  • 16-CDIP

  • 16-CFlatPack

  • 4-CSP

  • 8-TSSOP

  • 20-SOIC

  • 20-TSSOP

  • 8-邻苯二甲酸二异丙酯

  • 8-TDFN（3x3）

  • 14-TSSOP

  • 16-邻苯二甲酸

  • 18-邻苯二甲酸

  • 100-TQFP

  • 100-TQFP（14x14）

  • 20-PDIP

  • 28-PLCC（11.51x11.51）

  • 32-PLCC（11.43x13.97）

  • 52-TQFP（10x10）

  • 28-SOIC

  • 32-QFN（5x5）

  • 24-SOIC

  • 44-TQFP（10x10）

  • 32-PLCC（14x11.46）

  • 48-SSOP

  • 56-VFBGA

  • 56-SSOP

  • 20-PLCC（9x9）

  • 16-标准操作程序

  • 28-SO

  • 64-LQFP

  • 64-TQFP（10x10）

  • 28-TSSOP-EP

  • 144-BGA

  • 16-SSOP-B

  • 63-BGA（11x9）

  • 晶圆

  • 28-PLCC

  • 20-DIP

  • 8-TMSOP

  • TSOT-23-5

  • 8-DFN（2x3）

  • 28-PDIP

  • 44-LQFP（10x10）

  • 44-PLCC

  • 24-邻苯二甲酸

  • 28-CERDIP

  • 24-CDIP

  • 40-PDIP

  • 84-PLCC (29.31x29.31)

  • 14-甲基异丙基苯

  • 24-CFlatpack

  • 24-CERDIP

  • 14-标准操作程序

  • 8-SSOP

  • 24-EDIP

  • 34-PowerCap 模块

电压

  • 2.7V-3.6V

内存大小

  • 128Gbit（NAND）、8Gbit（LPDDR3）

  • 64Mbit (闪存), 64Mbit (内存)

  • 128Mbit (闪存)、32Mbit (内存)

  • 2Gbit（NAND）、1Gbit（LPDDR）

  • 16Mbit (闪存)、4Mbit (内存)

  • 1.5千位

  • 32Mbit (闪存)、8Mbit (内存)

  • 32Mbit（FLASH-NOR）、1Gbit（FLASH-NAND）

  • 2.25兆位

  • 64GB

  • 8GB

  • 16 GB

  • 32GB

  • 3兆位

  • 2兆位

  • 1GB（128M x 8）

  • 64兆位

  • 32KB（32K x 8）

  • 64位

  • 1兆位

  • 8K（1K x 8）

  • 128Mb（16M x 8）

  • 256MB（32MB x 8）

  • 32MB（4MB x 8）

  • 1MB（128K x 8）

  • 512MB（32MB x 16）

  • 256Mb（16M x 16）

  • 4MB（512K×8）

  • 8MB（512K x 16）

  • 64MB（4MB x 16）

  • 256KB（32KB×8）

  • 128MB（8MB x 16）

  • 64MB（8MB x 8）

  • 4MB（256K x 16）

  • 8Mb（1M x 8、512K x 16）

  • 8Mb（256 字节 x 4096 页）

  • 2MB（256K x 8）

  • 512Kb（64K x 8）

  • 1GB（64M x 16）

  • 64MB（2MB x 32）

  • 8Mb（1M x 8）

  • 2GB（256M x 8）

  • 4Kb（512 x 8）

  • 64Kb（8K x 8）

  • 128Kb（16K x 8）

  • 16Mb（2M x 8）

  • 2GB（128M x 16）

  • 32MB（2MB x 16）

  • 16Kb（2K x 8）

  • 16Mb（1M x 16）

  • 4GB（512M x 8）

  • 2MB（128K x 16）

  • 32Mb（256 字节 x 16384 页）

  • 1MB（64K x 16）

  • 2Gb（2G×1）

  • 1Gb（1G×1）

  • 512MB（64MB x 8）

  • 4Mb（512K x 8、256K x 16）

  • 16Mb（2M x 8、1M x 16）

  • 128Kb（8K x 16）

  • 32GB（4G x 8）

  • 16MB（512K x 32）

  • 16Gb（1G x 16）

  • 32MB（4MB x 8，2MB x 16）

  • 256GB（32GB x 8）

  • 64GB（8G x 8）

  • 36MB（1MB x 36）

  • 128GB（16GB x 8）

  • 1Kb（128 x 8）

  • 2KB（256×8）

  • 8Kb（1K x 8）

  • 1Kb（128 x 8、64 x 16）

  • 32Kb（4K x 8）

  • 4Kb（512 x 8、256 x 16）

  • 128b（16 x 8）

  • 32MB（8MB x 4）

  • 1Kb（64 x 16）

  • 16Kb（2K x 8、1K x 16）

  • 2Kb（256 x 8、128 x 16）

  • 2Kb（128 x 16）

  • 4MB（2MB×2）

  • 64MB（16MB x 4）

  • 4Kb（256 x 16）

  • 4Kb（256 x 8 x 2）

  • 2Kb（128 x 8 x 2）

  • 512MB（16MB x 32）

  • 8Gb（1G x 8）

  • 1GB（32M x 32）

  • 18MB（512K x 36）

  • 8GB（512M x 16）

  • 8Kb（512 x 16）

  • 16Kb（1K x 16、2K x 8）

  • 256Kb（64K x 4）

  • 16Kb（1K x 16）

  • 256b（16 x 16）

  • 64Kb（16K x 4）

  • 1Kb（256 x 4）

  • 4.5MB（128K x 36）

  • 1.125Mb（64K x 18）

  • 4.5Mb（256K x 18）

标签类型

  • 注意。正常运行时间是新范式！

标签尺寸

  • 5.00 英寸长 x 3.50 英寸宽（127.0 毫米 x 88.9 毫米）

内存类型

  • 非挥发性

  • 易挥发的

  • 非挥发性，挥发性

标准

  • ISO 14443

电压 - 电源

  • 12伏

  • 5伏

  • 3.3伏

  • 3伏

  • 1.2伏

  • 1伏

  • 1.8V

  • 4.5V ～ 5.5V

  • 4.75V~5.25V

  • 2.7V～5.5V

  • 1.8V～3.3V

  • 1.6V～3.6V

  • 1.71V~3.63V

  • 1.7V～3.6V

  • 1.6V～5.5V

  • 0.9V～3.6V

  • 2.5V ～ 3.3V

  • 1.5V～5.5V

  • 2.2V～5.5V

  • 3.135V~3.465V

  • 2.7V~3.6V

  • 2.97V~3.63V

  • 1.8V～3.6V

  • 3.15V~3.45V

  • 2.375V~3.465V

  • 1.8V、3.3V

  • 3V～15V

  • 2.85V~5.25V

  • 2.65V~5.5V

  • 3V～3.6V

  • 2.3V~2.7V

  • 3V ～ 5.5V

  • 2.7V~3.3V

  • 4.75V~5.5V

  • 1.71V~1.89V

  • 2.375V~2.625V

  • 3.14V~3.47V

  • 2.25V~2.75V

  • 2.5V～3.6V

  • 1.8V～5.5V

  • 2.6V~3.3V

  • 3.1V~3.5V

  • 1.7V～2V

  • 1.7V~1.9V

  • 3.15V~3.6V

  • 3V～5.25V

  • 1.65V~1.95V

  • 3V~3.63V

  • 2.4V～3.6V

  • 2.8V～3.6V

  • 2.3V～3.6V

  • 2.5V ～ 5.5V

  • 3.135V~3.6V

  • 3.14V~3.63V

  • 1.7V～5.5V

  • 4.5V ～ 6.5V

  • 2V～5.5V

  • 1.5V～3.6V

  • 2.7V～3.3V, 4.5V～5.5V

  • 1.8V～6V

  • 4V～10.5V

  • 2.4V～5.5V

  • 2.5V～6V

  • 2.6V~3.6V

  • 4V ～ 5.5V

  • 2.7V～3.6V, 4.5V～5.5V

  • 1.8V～2.2V

  • 2.1V～3.6V

  • 1.62V～5.5V

  • 1.65V～3.6V

  • 2V～3.6V

  • 1.14V~1.26V

  • 3.1V~3.6V

  • 2.35V~3.6V

  • 4.5V～6V

  • 2.2V～3.6V

  • 1.65V~2V

  • 1.2V，1.8V

  • 2.4V～3.6V, 2.7V～3.6V

  • 2.8V～6V

  • 4.5V～5.25V, 4.75V～5.5V

  • 2.9V～5.5V

  • 1.25V~1.35V

  • 2.2V～5.25V

  • 1.1伏

  • 1.35伏

  • 1.05伏

  • 3V～3.6V, 4.5V～5.5V

  • 1.425V~1.575V

  • 2.45V~3.6V

  • 2V～5.25V

  • 1.4V~1.6V

  • 2.5V~2.7V

  • 2.65V~3.6V

  • 1.1V~1.3V

  • 2.2V~2.7V

  • 2.7V～4.5V

  • 1.6V～4.5V

  • 4V～6.5V

  • 1.71V~2V

时钟频率

  • 2133 兆赫

  • 千赫

  • 1兆赫

  • GHz

  • 2.4 GHz

  • 12 GHz

  • 8 GHz

  • GHz

  • 1.5 GHz

  • 2 GHz

  • 500兆赫

  • GHz

  • 1.2 GHz

  • 300兆赫

  • 50兆赫

  • 200兆赫

  • 2兆赫

  • 100兆赫

  • 8兆赫

  • 25兆赫

  • 12兆赫

  • 16兆赫

  • 40兆赫

  • 4兆赫

  • 20兆赫

  • 10兆赫

  • 54兆赫

  • 30兆赫

  • 52兆赫

  • 3兆赫

  • 5兆赫

  • 100千赫

  • 80兆赫

  • 13兆赫

  • 18兆赫

  • 33兆赫

  • 15兆赫

  • 28兆赫

  • 125 千赫

  • 6.5兆赫

  • 45兆赫

  • 14兆赫

  • 112兆赫

  • 66兆赫

  • 85兆赫

  • 125兆赫

  • 250兆赫

  • 75兆赫

  • 120兆赫

  • 133兆赫

  • 150兆赫

  • 166 兆赫

  • 34兆赫

  • 108兆赫

  • 90兆赫

  • 70兆赫

  • 360 兆赫

  • 625 兆赫

  • 56兆赫

  • 65兆赫

  • 33.3兆赫

  • 143兆赫

  • 400兆赫

  • 240兆赫

  • 104兆赫

  • 266 兆赫

  • 800兆赫

  • 208兆赫

  • 1.066 GHz

  • 312兆赫

  • 117兆赫

  • 76兆赫

  • 750千赫

  • 102兆赫

  • 600兆赫

  • 1.25兆赫

  • 113兆赫

  • 58兆赫

  • 86兆赫

  • 800千赫

  • 29兆赫

  • 167 兆赫

  • 87 兆赫

  • 2.1兆赫

  • 83兆赫

  • 1.25 GHz

  • 450兆赫

  • 350兆赫

  • 233兆赫

  • 375兆赫

  • 400千赫

  • 250 千赫

  • 533 兆赫

  • 1.06 GHz

  • 225兆赫

  • 67兆赫

  • 333 兆赫

  • 1.16 GHz

  • 275兆赫

  • 267 兆赫

访问时间

  • 5纳秒

  • 20 纳秒

  • 100 纳秒

  • 25纳秒

  • 4纳秒

  • 7纳秒

  • 30 纳秒

  • 50纳秒

  • 10纳秒

  • 6纳秒

  • 40纳秒

  • 500 皮秒

  • 2.5纳秒

  • 3纳秒

  • 8纳秒

  • 15纳秒

  • 7.5纳秒

  • 35纳秒

  • 9纳秒

  • 12纳秒

  • 60纳秒

  • 70纳秒

  • 80纳秒

  • 90纳秒

  • 45纳秒

  • 6.7纳秒

  • 3.5纳秒

  • 5.5纳秒

  • 19纳秒

  • 4.5纳秒

  • 55纳秒

  • 2.7纳秒

  • 8.5纳秒

  • 125纳秒

  • 4.2纳秒

  • 5.4纳秒

  • 4.7纳秒

  • 4.4纳秒

  • 3.8纳秒

  • 14纳秒

  • 5.2纳秒

  • 6.5纳秒

  • 7.2纳秒

  • 18纳秒

  • 微秒

  • 2 微秒

  • 11纳秒

  • 13纳秒

  • 4.5 微秒

  • 15 微秒

  • 300 纳秒

  • 500 纳秒

  • 200 纳秒

  • 350 纳秒

  • 650 纳秒

  • 16纳秒

  • 180纳秒

  • 280纳秒

  • 95纳秒

  • 120纳秒

  • 150 纳秒

  • 96纳秒

  • 250 纳秒

  • 110纳秒

  • 65纳秒

  • 115纳秒

  • 54纳秒

  • 28纳秒

  • 85纳秒

  • 105纳秒

  • 135纳秒

  • 75纳秒

  • 22纳秒

  • 23纳秒

  • 27 纳秒

  • 36纳秒

  • 130纳秒

  • 700 马力

  • 400 纳秒

  • 220纳秒

  • 52纳秒

  • 17 纳秒

  • 140纳秒

  • 32纳秒

  • 320纳秒

  • 8.4纳秒

  • 255纳秒

  • 360纳秒

  • 170纳秒

  • 1.2微秒

  • 6.8纳秒

  • 4.8纳秒

  • 600 纳秒

  • 1.8纳秒

  • 450 纳秒

  • 3.5 微秒

  • 900 纳秒

  • 48纳秒

  • 3.2纳秒

  • 700 纳秒

内存格式

  • 闪光

  • 内存

  • 动态随机存取记忆体

  • 非易失性存储器

  • 电可擦除只读存储器

  • 静态存储器

  • 铁电存储器

  • 可擦可编程只读存储器

  • 东芝RAM

  • 静态随机存取记忆体

  • 舞会

  • 闪存、RAM

  • 相控存储器（PRAM）

  • CBRAM®

  • 计算机辅助制造

内存接口

  • 崔

  • 串行

  • 单线

  • 荚

  • 低压CMOS

  • 低电压TTL

  • 高速传输层

  • 平行线

  • 3 线串行

  • 串行外设接口

  • I²C

  • 微线

  • 并行、SPI

  • 1-Wire®

  • SPI - 四路 I/O

  • SPI - 四路 I/O、QPI、DTR

  • SPI - 四路 I/O，QPI

  • SSTL_15

  • 嵌入式多媒体卡

  • SPI-双 I/O

  • 微线、SPI

  • SPI - 四路 I/O，DTR

  • 多媒体存储

  • Xccela 巴士

  • 中美洲金融机构

  • SSTL_18

  • HSUL_12

  • LVSTL_11

  • 左心室收缩末期

  • SPI-八进制 I/O

  • 光网络接口

  • I²C，单线

  • UFS3.1

  • 超级总线

  • 串行接口、快速接口

  • UFS2.1

  • SPI - 四路 I/O、SDI、DTR

  • 超滤膜

  • MMC，LPDRAM

  • SSTL_2

  • SPI - 四路 I/O，SDI

  • eMMC_5.1

  • eMMC_4.5

  • SPI - 八路 I/O，DTR

  • LVSTLE_06

  • UFS 3.1

  • UFS2.2

  • eMMC_5

  • POD_135

  • eMMC 5.1 HS400 + LPDDR3

  • eMMC 5.1 HS400 + LPDDR4X

写入周期时间 - 字、页

  • 165微秒

  • 165纳秒

  • 5纳秒

  • 25纳秒

  • 20纳秒

  • 100纳秒

  • 500纳秒

  • 125纳秒

  • 4纳秒

  • 7纳秒

  • 35纳秒

  • 30纳秒

  • 150纳秒

  • 50纳秒

  • 250纳秒

  • 10纳秒

  • 6纳秒

  • 8纳秒

  • 40纳秒

  • 200纳秒

  • 2.2纳秒

  • 2纳秒

  • 15纳秒

  • 17纳秒

  • 12纳秒

  • 75纳秒

  • 300纳秒

  • 400纳秒

  • 45纳秒

  • 60纳秒

  • 2.5纳秒

  • 80纳秒

  • 70纳秒

  • 84纳秒

  • 1微秒

  • 350纳秒

  • 90纳秒

  • 20微秒

  • 150微秒

  • 110纳秒

  • 120纳秒

  • 10微秒

  • 5微秒

  • 15微秒

  • 40微秒

  • 2毫秒

  • 3毫秒

  • 30微秒

  • 1.2毫秒

  • 14纳秒

  • 100微秒

  • 50微秒

  • 135纳秒

  • 300微秒

  • 250微秒

  • 350微秒

  • 400微秒

  • 500微秒

  • 20纳秒，30纳秒

  • 100微秒，50纳秒

  • 19纳秒

  • 130纳秒

  • 120微秒

  • 105纳秒

  • 60微秒

  • 225纳秒

  • 11纳秒

  • 16纳秒

  • 280微秒

  • 420纳秒

  • 140纳秒

  • 25微秒

  • 115纳秒

  • 200微秒

  • 65纳秒

  • 18纳秒

  • 55纳秒

  • 36纳秒

  • 8.5纳秒

  • 6.7纳秒

  • 15.5纳秒

  • 30微秒，1.5毫秒

  • 8毫秒，2.8毫秒

  • 700微秒

  • 30微秒，3毫秒

  • 50微秒，3毫秒

  • 8微秒，3毫秒

  • 800微秒

  • 5毫秒

  • 30微秒，750微秒

  • 50微秒，1.2毫秒

  • 50微秒，2.4毫秒

  • 150微秒，5毫秒

  • 40微秒，3毫秒

  • 12微秒，2.4毫秒

  • 1.5毫秒

  • 2.4毫秒

  • 300微秒，5毫秒

  • 6毫秒

  • 100微秒，10毫秒

系列

  • G530

  • 汽车、AEC-Q100、SST25

  • EM-10

  • ML-2

  • 汽车、AEC-Q100、ML-2

  • SL-2

  • 汽车、AEC-Q100、MS-2

  • 汽车、AEC-Q100、MS-1

  • 汽车、AEC-Q100、ML-1

  • EM-16

  • R1EV5801MB

  • ML-1

  • MS-1

  • MX60LF

  • GVT71128D32

  • GVT71128E36

  • GTV71256DA

  • 同步突发™

  • 贝南德™

  • 量子点™

  • 锌基钛合金

  • QS7026A

  • 恒忆™

  • 27960Kx

  • 28F008

  • 24CW

  • HL-T

  • QS7024A

  • 临时

  • MT28F010

  • 超音速

  • 93L425

  • QS7025A

  • QS70261A

  • EM-20

  • 高速T

  • 艾托克斯™

  • 93425DMQB40

  • QDR®

  • ETOX™ 六

  • 27C64

  • M2114A

  • M2716

  • M28F010

  • MF28F010

  • 4720B

  • EM-26

  • GVT71128Z36

  • 4721B

  • QS70681

  • MX29VS

  • 汽车、AEC-Q100、HyperFlash™ + HyperRAM™ KL

  • 汽车、AEC-Q100、MoBL®

  • R1EV58256BxxN

  • FL-G

  • 消费级UFS

  • 28F008B3

  • 福泰™

  • 28F002BC

  • GTV71256E

  • NDD3

  • 汽车

  • 工业的

  • *

  • 汽车、AEC-Q101

  • 大部分

  • 汽车、AEC-Q100

  • 卷带式 (TR)

  • 74F

  • 54楼

  • 铁电随机存储器™

  • 荧光增白剂

  • SST39 多用途树脂滤清器™

  • 摩比®

  • MX29LV

  • 25CS

  • 汽车、AEC-Q100、F-RAM™

  • MX30LF

  • 佛罗里达州

  • SST26 SQI®

  • 汽车、AEC-Q100、FL-L

  • 汽车、AEC-Q100、GL-S

  • SST25

  • R1EX24xxx

  • FS-S

  • PL-J

  • GL-S

  • 八达通™

  • Excelon™-LP，F-RAM™

  • MXSMIO™

  • 经济 II

  • 森帕™

  • 汽车、AEC-Q100、FL-S

  • 超快内存™

  • 安克诺

  • GL-T

  • EM-30

  • NDL86P

  • EMxxLX

  • 汽车、AEC-Q100、Excelon™-Auto、F-RAM™

安装类型

  • 通孔

  • -40℃～85℃

  • 0℃～70℃（环境温度）

工作温度

  • -30℃～85℃

  • -40℃～85℃

  • -40℃～105℃

  • -25℃～85℃

  • -40℃～95℃

  • -40℃～125℃

  • 0℃～70℃

  • -55℃～85℃（环境温度）

  • -40℃～125℃（环境温度）

  • -40℃～85℃（环境温度）

  • -55℃～125℃（环境温度）

  • 0℃～70℃（环境温度）

  • -40℃～105℃（TA）

  • -25°C ~ 85°C (TA)

  • -40℃～90℃（环境温度）

  • 2.3V~2.7V

  • -55℃～125℃（温控）

  • 3.135V~3.6V

  • -40℃～105℃（温控）

  • -40℃～85℃（温控）

  • 0℃～95℃（温控）

  • 0℃～85℃（温控）

  • -40℃～95℃（环境温度）

  • -40℃～95℃（温控）

  • 0℃～70℃（温控）

  • -40℃～125℃（温控）

  • -30℃～85℃（温控）

  • -25℃～85℃（温控）

电压供应

  • 12伏

  • 5伏

  • 3伏

  • 4.5V ～ 5.5V

  • 2.7V～5.5V

  • 1.6V～3.6V

  • 1.7V～3.6V

  • 3.135V~3.465V

  • 2.7V~3.6V

  • 1.8V～3.6V

  • 3.15V~3.45V

  • 2.65V~5.5V

  • 3V～3.6V

  • 2.3V~2.7V

  • 3V ～ 5.5V

  • 2.7V~3.3V

  • 4.75V~5.5V

  • 1.71V~1.89V

  • 1.8V～5.5V

  • 1.7V～2V

  • 1.7V~1.9V

  • 3.15V~3.6V

  • 1.65V~1.95V

  • 2.4V～3.6V

  • 2.3V～3.6V

  • 2.5V ～ 5.5V

  • 3.135V~3.6V

  • 1.7V～5.5V

  • 2.5V～6V

  • 2.6V~3.6V

  • 1.65V～3.6V

  • 2V～3.6V

  • 1.14V~1.26V

  • 2.2V～3.6V

  • 1.65V~2V

  • 6.5纳秒

  • 1.1伏

  • 1.05伏

  • 1.425V~1.575V

  • 700 马力

  • 1.7V~1.95V

  • 1.283V~1.45V

  • 2.4V～2.6V

  • 1.06V～1.17V, 1.7V～1.95V

  • 1.65V~2.2V

  • 1.14V～1.3V, 1.7V～1.95V

  • 1.42V～1.58V, 1.7V～1.9V

  • 2.7V~3.65V

  • 2.7V~2.3V

  • 1.28V～1.42V

  • 1.06V~1.17V

  • 1.14V~1.6V

  • 1.3095V~1.3905V

  • 1.2125V~1.325V

内存大小

  • 2兆位

  • 64兆位

  • 1兆位

  • SDRAM-DDR3L

  • SDRAM-DDR

  • SRAM - 标准

  • 128千位

  • 4千位

  • 512千位

  • 16兆位

  • 32兆位

  • 128兆位

  • 1K位

  • 4Gbit

  • 2K位

  • 256千位

  • 8兆位

  • 2Gbit

  • 4兆位

  • 64千位

  • 1Gbit

  • 32千位

  • 8千位

  • 16K位

  • 256兆位

  • 512兆位

  • 128Gbit

  • 512Mbit (闪存), 64Mbit (内存)

  • 64Gbit

  • 8Gbit

  • 256Gbit

  • 16Gbit

  • 1Tbit

  • 32Gbit

  • 512Gbit

  • 18兆位

  • 2Tbit

  • 4Tbit

  • 9兆位

  • 256位

  • 4.5兆位

  • 12Gbit

  • 8Gbit（NAND）、8Gbit（LPDDR4）

  • 24Gbit

  • 288兆位

  • 48Gbit

  • 576兆位

  • 96Gbit

  • 36兆位

  • 2Tbit（NAND）、64Gbit（LPDDR4X）

  • 8Tbit

  • 576千位

  • 8Gbit（NAND）、4Gbit（LPDRAM）

  • 18千位

  • 72千位

  • 288千位

记忆型

  • 非挥发性

  • 易挥发的

  • 未经审核的

  • 非挥发性，挥发性

时钟频率

  • 1兆赫

  • GHz

  • 2.4 GHz

  • 12 GHz

  • 8 GHz

  • GHz

  • 1.2 GHz

  • 300兆赫

  • 50兆赫

  • 200兆赫

  • 2兆赫

  • 100兆赫

  • 25兆赫

  • 40兆赫

  • 4兆赫

  • 20兆赫

  • 10兆赫

  • 3兆赫

  • 100千赫

  • 80兆赫

  • 33兆赫

  • 112兆赫

  • 66兆赫

  • 125兆赫

  • 133兆赫

  • 166 兆赫

  • 108兆赫

  • 70兆赫

  • 33.3兆赫

  • 143兆赫

  • 400兆赫

  • 104兆赫

  • 800兆赫

  • 167 兆赫

  • 83兆赫

  • 400千赫

  • 533 兆赫

  • 1.16 GHz

  • 平行线

  • 1.333 千兆赫

  • 1.6 GHz

  • 3.4兆赫

  • 2.8 GHz

  • 3.2 GHz

  • 933 兆赫

  • 2.133 GHz

  • 667 兆赫

  • 1866 兆赫

  • SSTL_2

  • 4.266 GHz

  • 10.5 GHz

访问时间

  • 5纳秒

  • 20 纳秒

  • 100 纳秒

  • 25纳秒

  • 7纳秒

  • 30 纳秒

  • 50纳秒

  • 10纳秒

  • 6纳秒

  • 40纳秒

  • 15纳秒

  • 8纳秒

  • 15纳秒

  • 35纳秒

  • 9纳秒

  • 12纳秒

  • 70纳秒

  • 90纳秒

  • 45纳秒

  • 6.7纳秒

  • 3.5纳秒

  • 5.5纳秒

  • 19纳秒

  • 4.5纳秒

  • 55纳秒

  • 2.7纳秒

  • 4.2纳秒

  • 5.4纳秒

  • 6.5纳秒

  • 18纳秒

  • 11纳秒

  • 13纳秒

  • 300 纳秒

  • 500 纳秒

  • 200 纳秒

  • 16纳秒

  • 120纳秒

  • 150 纳秒

  • 110纳秒

  • 85纳秒

  • 36纳秒

  • 130纳秒

  • 700 马力

  • 17 纳秒

  • 3.5 微秒

  • 900 纳秒

  • 3.2纳秒

  • 400 秒

  • 550 纳秒

  • 450 马力

  • 3.3纳秒

  • 350 秒

  • 5.45纳秒

记忆格式

  • 闪光

  • 内存

  • 动态随机存取记忆体

  • 非易失性存储器

  • 易挥发的

  • 电可擦除只读存储器

  • 静态存储器

  • 铁电存储器

  • 可擦可编程只读存储器

  • 静态随机存取记忆体

  • 闪存、RAM

记忆体介面

  • 单线

  • 荚

  • 低电压TTL

  • 平行线

  • 串行外设接口

  • I²C

  • 微线

  • SPI - 四路 I/O

  • SPI - 四路 I/O、QPI、DTR

  • SPI - 四路 I/O，QPI

  • SSTL_15

  • 嵌入式多媒体卡

  • 中美洲金融机构

  • SSTL_18

  • HSUL_12

  • 左心室收缩末期

  • SPI-八进制 I/O

  • 光网络接口

  • 超级总线

  • UFS2.1

  • 超滤膜

  • SSTL_2

  • 32 米 x 16

  • 64M x 8

  • 256M x 16

  • eMMC_5.1

  • eMMC_4.5

  • 256K x 18

  • UFS 3.1

  • POD_135

  • POD125

记忆组织

  • 512K x 8

  • 256K x 8

  • 1 米 x 8

  • 4K x 8

  • 8K x 8

  • 256 x 8

  • 16K x 8

  • 1K x 8

  • 2K x 8

  • 512 x 8

  • 64K x 8

  • 32K x 8

  • 128K x 8

  • 2K x 16

  • 4K x 16

  • 8K x 16

  • 16K x 16

  • 2 米 x 8

  • 64 x 4

  • 256 x 16

  • 4K x 18

  • 2K x 9

  • 64K x 9

  • 8K x 9

  • 16 米 x 8

  • 4Gbit

  • 512M x 8

  • 1 米 x 16

  • 128M x 16

  • 64K x 16

  • 4 米 x 16

  • 4兆位

  • 256M x 8

  • 128M x 8

  • 米 x 8

  • 2 米 x 16

  • 64M x 16

  • 4 米 x 8

  • 32 米 x 8

  • 512K x 16

  • 16 米 x 16

  • 4 米 x 32

  • 512兆位

  • 32 米 x 16

  • 16 米 x 32

  • 8 米 x 4

  • 2 米 x 32

  • 8 米 x 16

  • 256K x 16

  • 64M x 8

  • 256M x 16

  • 8 米 x 32

  • 16G x 8

  • 8G x 8

  • 1G x 8

  • 32G x 8

  • 512M x 16

  • 1G x 16

  • 128G x 8

  • 512K x 16，1M x 8

  • 4 米 x 8, 2 米 x 16

  • 1M x 8, 512K x 16

  • 4G x 8

  • 64M x 32

  • 64G x 8

  • 2G x 8

  • 256G x 8

  • 512G x 8

  • 256K x 36

  • 128 x 16

  • 256 x 8, 128 x 16

  • 32K x 16

  • 64K x 4

  • 128K x 36

  • 128K x 16

  • 1M x 16, 2M x 8

  • 2M x 4, 4M x 2, 8M x 1

  • 1M x 4, 2M x 2, 4M x 1

  • 8M x 4, 16M x 2, 32M x 1

  • 16M x 4, 32M x 2, 64M x 1

  • 32M x 4, 64M x 2, 128M x 1

  • 2M x 8, 1M x 16

  • 64M x 4

  • 128M x 32

  • 384M x 32

  • 256M x 32

  • 512M x 32

  • 1 米 x 18

  • 1G x 32

  • 1G x 8 (NAND)、512M x 16 (LPDDR4)

  • 4G x 4

  • 512M x 64

  • 768M x 32

  • 16 米 x 18

  • 32 米 x 9

  • 8 米 x 36

  • 768M x 64

  • 1.5G x 32

  • 1G x 64

  • 2G x 32

写入周期时间- Word Page

  • 200兆赫

  • 133兆赫

  • 166 兆赫

  • 800兆赫

  • 25纳秒

  • 20纳秒

  • 35纳秒

  • 30纳秒

  • 150纳秒

  • 50纳秒

  • 10纳秒

  • 40纳秒

  • 200纳秒

  • 15纳秒

  • 17纳秒

  • 12纳秒

  • 45纳秒

  • 70纳秒

  • 90纳秒

  • 20微秒

  • 2毫秒

  • 3毫秒

  • 30微秒

  • 50微秒

  • 20纳秒，30纳秒

  • 19纳秒

  • 18纳秒

  • 55纳秒

  • 36纳秒

  • 700微秒

  • 30微秒，3毫秒

  • 800微秒

  • 5毫秒

  • 1.5毫秒

  • 40微秒，1.2毫秒

  • 10毫秒

  • 4毫秒

  • 50微秒，1毫秒

  • 5微秒，3毫秒

  • 750微秒

  • 85纳秒

  • 1.8毫秒

  • 37.5纳秒

  • 100微秒，3.6毫秒

  • 8毫秒、5毫秒

  • 1.7毫秒

  • 40微秒，800微秒

  • 100微秒，4.6毫秒

  • 20纳秒，600微秒

  • 70纳秒，300微秒

  • 50微秒，2毫秒

  • 120纳秒，10微秒

  • 25微秒，1毫秒

  • 25微秒，7.5毫秒

基本产品编号

  • MX25L25733

  • GD5F4GQ4

  • R1RP0416

  • R1RW0416

  • NDL28

  • MT53E128

  • 梅特卡波姆

  • S99-50210

  • MT4A1

  • MT4A2

  • MT4A512

  • 甲基化脂肪酸4

  • 基因转移酶8

  • 梅特尔FBR16

  • 多层多参数生物反应器4

  • 梅特尔FBR8

  • EDF8165

  • IS46TR81280

  • IS46TR85120

  • R1LP0408

  • ECF00453

  • IS46TR16512

  • R1LV5256

  • RMLV0816

  • MT40A8G4

  • MT58K256

  • R1RP0408

  • R1RW0408

  • IS46TR82560

  • SM662

  • SM671

  • 5962-8866511

  • 5962-9150804

  • 5962-8687522

  • 5962-8700218

  • 5962-8687507

  • 5962-8866516

  • MB85RS4

  • 5962-9150806

  • 5962-8976404

  • 5962-8687521

  • 5962-8976402

  • 5962-9150812

  • 5962-9161704

  • 5962-9161708

  • 5962-9166201

  • 5962-9161703

  • 5962-9161707

  • 5962-8976408

  • 5962-9150807

  • 5962-9161702

  • 5962-8866515

  • 5962-8861011

  • 5962-9166212

  • 5962-9166207

  • 5962-9150810

  • 5962-8700208

  • CY7C2564

  • GD25VQ32

  • CY7C106

  • EM04APY

  • EM08APG

  • EM04APG

  • EM02APY

  • 24LC01B

  • 24LC024H

  • 24LC08

  • S71VS064

  • DS28C

  • 24FC04

  • 24FC02

  • 24FC01

  • MX25L3273

  • GD25LQ05

  • GD25LQ10

  • GD25LQ80

  • GD25LQ256

  • AT24C256C

  • 93C56B

  • 93C66B

  • THGAMRG7

  • THGAMRG8

  • IS61WV12824

  • IS61DDB44系列

  • GD5F4GQ6

  • W25Q21

  • MT53D4G16

  • MT53E256

  • MT53E384

  • MT53E768

  • MT61K512

  • DS28E04

  • IS43LD32128

  • MX25UW51245

  • IS46LD32128

  • IS43LD16256

  • DS28E02

  • IS25LP016

  • 型号：S99-50239

  • W74M12

记忆组织

  • 16G x 8 (NAND)、256M x 32 (LPDDR3)

  • 256K x 4

  • 4G x 16

  • 256 x 16, 512 x 8

  • 16K x 64

  • 16K x 1

  • 4K x 64

  • 512K x 16 x 2

  • 256M x 16, 512M x 8

  • 144米 x 8

  • 64 x 16, 128 x 8

  • 1 米 x 1

  • 4M x 16, 8M x 8

  • 256 字节 x 1024 页

  • 256 x 1

  • 128 x 8 x 2

  • 32 字节 x 6 页

  • 256 字节 x 8192 页

  • 4M x 8 (闪存-NOR)、128M x 8 (闪存-NAND)

  • 16G x 4

  • 128K x 32、256K x 16、512K x 8

  • 8M x 8 x 2, 4M x 16

  • 1056 字节 x 16,384 页

  • 1M×32、2M×16

  • 128K x 36 x 2 (DDR)

  • 64K x 72

  • 64K x 1

  • 32M x 16, 64M x 8

  • 512K x 8

  • 256K x 8

  • 1 米 x 8

  • 4K x 8

  • 8K x 8

  • 256 x 8

  • 16K x 8

  • 1K x 8

  • 128 x 8

  • 2K x 8

  • 512 x 8

  • 64K x 8

  • 32K x 8

  • 128K x 8

  • 1K x 16

  • 256 x 4

  • 16 x 8

  • 2K x 16

  • 32 x 8

  • 4K x 16

  • 8K x 16

  • 16K x 16

  • 2 米 x 8

  • 64 x 4

  • 2K x 4

  • 64 x 16

  • 256 x 16

  • 16 x 4

  • 16K x 36

  • 4K x 18

  • 8K x 18

  • 128K x 9

  • 2K x 9

  • 64K x 9

  • 16K x 9

  • 8K x 9

  • 4K x 9

  • 16K x 18

  • 16 x 16

  • 528 字节 x 4096 页

  • 512 字节 x 8192 页

  • 16 米 x 8

  • 512M x 8

  • 256 x 80

  • 256 字节 x 32K 页

  • 1 米 x 16

  • 128M x 16

  • 64K x 16

  • 4 米 x 16

  • 256M x 8

  • 128M x 8

  • 米 x 8

  • 2 米 x 16

  • 64M x 16

  • 4 米 x 8

  • 8 米 x 8, 4 米 x 16

  • 256 x 8 x 4

  • 32 米 x 8

  • 512K x 16

  • 16 米 x 4

  • 2 米 x 4

  • 16 米 x 16

  • 4 米 x 32

  • 32 米 x 16

  • 16 米 x 32

  • 8 米 x 4

  • 2 米 x 32

  • 8 米 x 16

  • 32M x8, 256M x 1

  • 32M x 8, 256M x 1

  • 256K x 16

  • 64M x 8

电源电压 - 最小/最大

  • 4.5V ～ 5.5V

包装

  • 托盘

  • 11.5 × 13 × 0.8

  • 管子

  • 盒子

  • 托盘

  • 34-LPM

  • 32-CLCC，窗口

  • 48-TSOP

  • 18-CFlatPack

  • 28-CFlatpack，窗口

  • 30-BCPGA

  • 165-BFCPGA

  • 44-PSOP

  • 68-扁平包装

  • 条

  • 包

  • 大部分

  • 卷带包装 (TR)、切割带包装 (CT)、Dasenic-Reel®

  • 卷带式 (TR)

  • 胶带和盒子 (TB)

  • 切割胶带 (CT)

  • Dasenic-Reel®

包装

  • 卷带式 (TR)/切带式 (CT)/托盘/管式

Ro H S 现状

  • 无铅/符合 RoHS 规定

产品类别

  • 静态存储器

接口类型

  • 平行线

组织

  • 2K x 8

密度

  • 64GB

  • 16 GB

  • 128GB

M M C 接口

  • 5.1

操作温度

  • -40C 至 +85C

  • -40C 至 +105C

芯片组验证

  • 不适用

产品长期供货计划

  • 不

产品长期供货计划开始日期

  • 不适用

F B G A_代码

  • JWC98

  • JWC94

  • JWD05

e- M M C版本

  • 5.1

过程

  • BiCS 闪光™

最大数据速率 ( M B/s)

  • 400

电源电压 Vcc( V)

  • 2.7 至 3.6

电源电压 Vccq( V)

  • 1.70 至 1.95

Dasenic 可编程

  • 未经审核的

筛选结果：
型号制造商单价库存描述数据文档操作
N28F256A150
Intel Corporation￥ 10.543530071闪存，32KX8，150NS，PQCC32
MT28F010-90
Intel Corporation￥ 1738.95861994闪存，128KX8，90NS，CQCC32
TN28F010-120
Rochester Electronics￥ 1110.44002856集成电路单片机闪存
GT28F800B3T90
Intel Corporation￥ 6.246433436闪存，512KX16，90NS，PBGA48
E28F004BVB80
Intel Corporation￥ 6.246440628NOR 闪存，512KX8，150NS，PDSO40
E28F002BC-T80
Intel Corporation￥ 6.246423616IC 闪存 2MBIT CUI 40TSOP
GT28F800B3T110
Intel Corporation￥ 6.246414400IC 闪存 8MBIT CUI 48UBGA
GT28F800B3T120
Intel Corporation￥ 6.246414040IC 闪存 8MBIT CUI 48UBGA
GT28F008B3T110
Intel Corporation￥ 10.543531200IC 闪存 8MBIT CUI 48UBGA
GT28F008B3T120
Intel Corporation￥ 10.543524000IC 闪存 8MBIT 并行 48UBGA
GT28F800B3B110
Intel Corporation￥ 10.54359858闪存，512KX16，110NS，PBGA48
E28F200B5T80
Intel Corporation￥ 11.054726012IC 闪存 2MBIT CUI 48TSOP
E28F020120
Intel Corporation￥ 20.767529088闪存，256KX8，120ns，PDSO32
GE28F160C3BD70A
Intel Corporation￥ 27.397124442NOR 闪存，1MX16，70NS，PBGA48
DE28F800F3T115
Intel Corporation￥ 218.877945000IC 闪存 8MBIT CUI 56SSOP
DE28F800F3T95
Intel Corporation￥ 218.87798602IC 闪存 8MBIT CUI 56SSOP
GE28F008B3BA90
Intel Corporation￥ 218.877914514IC 闪存 8MBIT 并行 48VFBGA
GE28F640C3TC80
Intel Corporation￥ 33.94695142闪存，4MX16，80NS，PBGA48
F28F020150
Intel Corporation￥ 272.941314182闪存，256KX8，150NS，PDSO32
100142DC
Texas Instruments￥ 517.01381618100142 - 内容可寻址 SRAM，4X4，4.3ns，CDIP24
S99GL512S0020
Spansion®￥ 42.87691645512KB NAND闪存
100142FC
Texas Instruments￥ 627.76501541静态随机存取存储器，4X4
29L8340
IBM Microelectronics￥ 0.900017969256K 3.0NS CMOS8S0 NOR DD2 DDR1
20F8148
IBM Microelectronics￥ 0.900027281HSTL 256K CMOS8S0 NOR DD2 DDR1
29L8095
IBM Microelectronics￥ 0.900016933256KX36 CMOS8S0 NOR DD2 2WLS
29L8339
IBM Microelectronics￥ 0.00002894256K 2.5NS CMOS8S0 NOR DD2 DDR1
20F8147
IBM Microelectronics￥ 0.900051210HSTL 512K CMOS8S0 NOR DD2 DDR1
SST27SF010-70-3C-PHE
Onsemi￥ 0.126058632定制闪存
HYB25L512160AC-7.5
Infineon Technologies￥ 0.900052013IC DRAM 512MBIT 并行 54FBGA
HYB25L512160AC-7.5 REEL
Infineon Technologies￥ 52.398045IC DRAM 512MBIT 并行 54FBGA
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