总共 80 项
制造商
IXYS Corporation
Central Semiconductor
Infineon Technologies
Littelfuse, Inc.
产品状态
积极的
过时的
工作温度
-40℃～125℃
安装类型
底盘安装
封装/箱体
BG-T5726K-1
模块
TO-92
TO-263
TO-218
DO-200AB，B-PUK
TO-218X
TO-268
结构
单身的
电流 - 保持 ( Ih)（最大值）
300 毫安
电压 - 关闭状态
1.8千伏
可控硅、二极管的数量
1 可兑换比索
电流 - 导通状态 ( It ( A V))（最大值）
844 一
电流 - 导通状态 ( It ( R M S)) (最大值)
1.5A
电压 - 门极触发 ( Vgt)（最大值）
1.5 伏
电流 - 门极触发 ( Igt)（最大值）
250毫安
电流 - 非重复浪涌 50, 60 Hz ( Itsm)
14500A @ 50Hz
安装方式
贴片/贴片
通孔
包装
卷轴
可控硅整流器
吉特罗
卷带式
管子
托盘
大部分
工厂包装数量
三十
500
250
包装
卷带式 (TR)/切带式 (CT)/托盘/管式
Ro H S 现状
无铅/符合 RoHS 规定
部件 # 别名
T930N36TOF
T1190N18TOF
T1190N16TOF
T1040N22TOF
T3160N16TOF
T2510N06TOF
T2160N28TOF
T2160N24TOF
T1930N38TOF
最低工作温度
-40 摄氏度
最高工作温度
+125 摄氏度
击穿电流 I B O 最大值
500 一
590 一
650 一
额定重复断态电压 V D R M
1千伏
600 伏
400 伏
800 伏
1.2千伏
1.8千伏
断态漏电流 @ V D R M I D R M
0.02 毫安
0.01 毫安
维持电流 ( Ih 最大)
50毫安
75 毫安
60 毫安
栅极触发电压 ( Vgt)
1.5 伏
门极触发电流 ( Igt)
50毫安
40毫安
维持电流 Ih最大
300 毫安
栅极触发电压 Vgt
2.2 伏
门极触发电流 Igt
250毫安
导通状态 R M S 电流 It R M S
1450 一
2020 年
非重复导通状态电流
9.4千安
17.5千安
关断状态漏电流 V D R M I D R M
100毫安
50毫安
Vf 正向电压
1.95 伏
2.15 伏
导通状态 R M S 电流 ( It R M S)
40 一
三十五 一
55 一
正向压降
1.8 伏
包装基地
弹药@2,000
筛选结果：
| 型号 | 制造商 | 单价 | 库存 | 描述 | 数据文档 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IXYS Corporation | ￥ 18727.1020 | 1506 | 可控硅 |  | ||
| IXYS Corporation | ￥ 3394.3041 | 1523 | 可控硅 | | ||
| IXYS Corporation | ￥ 9173.9100 | 765 | 可控硅 | | ||
| Littelfuse, Inc. | ￥ 30.5442 | 1659 | 可控硅 35A 400V | | ||
| Littelfuse, Inc. | ￥ 33.8670 | 1521 | 可控硅 55A 600V | | ||
| Littelfuse, Inc. | ￥ 32.2695 | 1678 | 可控硅 55A 400V | | ||
| Littelfuse, Inc. | ￥ 35.2728 | 1508 | 可控硅 55A 400V | | ||
| Littelfuse, Inc. | ￥ 64.9224 | 1720 | 可控硅 S8055W | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 1410.8000 | 1502 | BG-T11126K-1 双向可控硅 | | ||
| Central Semiconductor | ￥ 7.5060 | 1957 | 可控硅 100Vrm 15 Ifsm 可控硅 | | ||
| Central Semiconductor | ￥ 8.9370 | 1755 | 可控硅整流器…… | | ||
| Central Semiconductor | ￥ 0.7470 | 5532 | SCR 400V 0.8A 8.0V 通孔 SCR | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 1380.0483 | 1501 | BG-T5726K-1 双向可控硅 | | ||
| IXYS Corporation | ￥ 46.0080 | 1597 | 19 安培 1200V 可控硅 | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 2515.2460 | 1505 | 可控硅 PCT 1600V 305A | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 607.2600 | 1503 | 可控硅 PCT 1600V 1190A | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 1923.7400 | 1501 | 双向可控硅 | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 1659.6400 | 1501 | 双向可控硅 | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 1047.3849 | 1521 | BG-T5726K-1 双向可控硅 | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 698.8600 | 1501 | 双向可控硅 | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 1181.3600 | 2415 | 双向可控硅 | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 1810.2231 | 579 | 双向可控硅 | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 2085.0570 | 17 | Netz-晶闸管，相控晶闸管 | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 637.6600 | 853 | 双向可控硅 | | ||
| IXYS Corporation | ￥ 3989.0640 | 1635 | 可控硅 | | ||
| Infineon Technologies | ￥ 1862.1880 | 1505 | BG-T4814K0-1 双向可控硅 | | ||
| IXYS Corporation | ￥ 13198.9000 | 754 | 可控硅 | | ||
| IXYS Corporation | ￥ 53.5482 | 5478 | 可控硅 50 安培 1200V | | ||
| IXYS Corporation | ￥ 251.7660 | 1622 | SCR 高压相控晶闸管 | | ||
| IXYS Corporation | ￥ 29.9691 | 4380 | 19 安培 1200V 可控硅 | |
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