PJW1NA60B_R2_00001

制造商零件编号
PJW1NA60B_R2_00001
制造商
Panjit International Inc.
包装/箱
-
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描述
600V N-CHANNEL MOSFET
描述
600V N-CHANNEL MOSFET
支付方式
Paypal/Wire transfer/Stripe/ Visa/Mastercard/AMEX
配送方式
DHL/UPS/TNT/FedEX/EMS
制造商 :
Panjit International Inc.
产品分类 :
晶体管 - FET、MOSFET - 单
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
400mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
210 pF @ 25 V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-261-4, TO-261AA
Power Dissipation (Max) :
3.3W (Tc)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package :
SOT-223
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±30V
Vgs(th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
数据列表
PJW1NA60B_R2_00001

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