- Power Dissipation (Max)：
-
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：
-
- Vgs(th) (Max) @ Id：
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
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- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
-
2 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Rochester Electronics, LLC | MOSFET N-CH 650V 10.... |
1 |
8,590
In-stock
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Rochester Electronics, LLC | IPD65R660 - 650V AND 7... |
1 |
3,000
In-stock
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